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[参考译文] LM3409:LM3409和 LM3409HV PMOS 选择

Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3409, LM3409HV

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/791998/lm3409-lm3409-and-lm3409hv-pmos-selection

器件型号:LM3409

你(们)好

我们随 LM3409和 LM3409HV 提供了大量产品。

WebBench 中唯一的 PMOS 建议是 FDC5614P。 这是一款采用超 SOT-6封装的60V PMOS、性能出色。

开关频率约为500kHz。 我们在20V 至50V 和0.9至4A 的多种不同配置中使用 LM3409。

问题是保持足够的 FDC5614P。 这是一场持续不断的斗争,我们迫切需要一种或多种选择。 我们尝试计算 MOSFET 损耗(导通损耗+开关损耗+栅极损耗)、以寻找一个好的替代方案。 但是 、无论是在纸质测试还是实际测试中、我们都无法找到接近 FDC5614P 的 PMOS。

当然、我们的计算可能是错误的。  

您能否建议或指出一种方法或公式来正确计算此 PMOS 中的功率损耗。 对于 LM3409驱动器、除了最小化 Qg 之外、还有其他需要注意的事项吗?

/M

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    您好!

    它不仅仅是栅极电荷。  有 Rdson、即您正在运行的电流的栅极阈值、以及在电路板上安装和测试器件、因为两个具有相似规格的器件的运行方式可能截然不同。  我使用 FDC5661N_F085进行了快速查找、因为要比较和测试 FDC5612的内容将是另一个需要查看的内容(不推荐、只是两个看起来可能需要验证和测试的替代器件)。  需要注意的一点是器件的性能。  较新的器件在整体规格上可能更好、但可能会在电路中引起问题、因为它可以更快地切换、这就是为什么仅仅查看参数还不够的原因、也应该对其进行测试。

    一种粗略但简单的方法是测量与原始器件相比的器件温升。  查看波形还有助于确定替换件是否相似或工作正常。

    此致、

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    谢谢您 Irwin

    似乎计算/仿真可能无法实现、因此我们订购了许多潜在替代产品、并将逐一对其进行测试  

    /Morten