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[参考译文] 低正向压降和反向泄漏电流器件

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22916, TPS22976, LM66100

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/791627/low-forward-drop-and-reverse-leakage-current-device

主题中讨论的其他器件：TPS22916、 TPS22976、 LM66100

我正在寻找正向压降和反向泄漏电流非常小的器件(在85温度下小于100nA)。 我将使用该器件为超级电容器充电、然后为 RTC 芯片供电。

输入电压额定值为3.3V。

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好：Vaibhav、

    感谢您与 E2E 联系！

    我们有一些器件可能在这里工作。 我们拥有集成了反向电流保护功能的负载开关、例如 TPS22916。 但是、反向泄漏电流略高于100nA。

    如果您需要泄漏电流较小的器件、则需要使用背靠背 FET。 从负载开关的角度来看、您可以在 B2B 配置中使用双通道器件、例如 TPS22976、如第10.1.4节所示。

    如果您有任何疑问、请告诉我！

    谢谢、

    黄亚瑟

    要查找有关电源开关的最新信息、请访问 www.ti.com/powerswitch

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Arthur：

    TPS22976为我带来了前景光明的解决方案。 但在数据表中，没有提到此开关的反向泄漏电流，或者在背靠背配置中使用时，反向泄漏电流为零？
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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好：Vaibhav、

    再看一下、我们的任何器件都可能很难实现小于100nA 的反向泄漏电流。

    我想在这里考虑一些潜在的解决方案、但我们能找到的最接近的解决方案是 TPS22916。 您还可以查看我们的理想二极管控制器页面、查看是否可以使用其他器件： www.ti.com/.../products.html

    即使是分立式二极管/FET 也会在 UAS 范围内具有反向泄漏电流、压降也会更差。 你有什么想法？

    谢谢、
    黄亚瑟
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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Arthur：

    是的、我不能使用分立式、因为如果我选择泄漏电流更小的二极管、则正向压降会增加。 基本上、我的应用具有3.3V 电源 RTC 芯片、我希望在没有3.3V 电压的情况下使用超级电容器保持 RTC 电源开启。因此、要使 RTC 保持更长的持续时间、毫微安培的电流损耗非常重要。 现在、我认为我应该使用背靠背 MOSFET 配置、如果您能在没有压降的情况下为超级电容器充电、并且反向泄漏电流也非常小、那么您会感到很失望。

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好：Vaibhav、

    遗憾的是、当阻断 FET 处于活动状态时、即使是 B2B FET 也会在体二极管上产生压降。 在这种情况下、分立式 FET 也会产生反向泄漏电流。 最接近的等效方法是使用 TPS22916或理想二极管、如 LM66100。

    谢谢、
    Arthur
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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Arthur：

    非常感谢您的支持。
    在 TPS22916中，如果我在输出引脚上有3.3V 电压，并且在0V 时的输入也被禁用，那么从输出到输入的电流将是多少？
    在这种情况下，器件是否仅在反向电流达到500mA 时阻断电流？ 如果是，它将在多长时间内从输出流向输入端，直到电流阻断？
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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好：Vaibhav、

    如果输出引脚上有3.3V 电压、输入上有0V 电压、则会有 IIN、RCB 反向泄漏电流(300nA)。

    当反向电流在10uS 内达到500mA 时、反向电流阻断将激活。 您可以在 TPS22916数据表的电气特性中看到更多技术参数。

    谢谢、
    Arthur