This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ76200:BQ76200

Guru**** 2578735 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76200

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/793543/bq76200-bq76200

器件型号:BQ76200

尊敬的所有人:

    我对 DSG 关断 MOS 中的 BQ76200有疑问。 如下 所示、SLUA794说明我是否使用 CF 较小,关闭 MOS 的时间短于 CF 较大、  

 您能不能告诉我,   我应该选择?1uf、0.1uf 或10uf?感谢~

   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Bill、
    数据表建议使用10nF 和100欧姆 CF 和 RF (Cfilter 和 Rfilter)。 我不建议使用较大的值。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 WM5295:

    如果我将 CF 值设置得更低,例如1nf,DSG 关闭 MOS?时 Vgs 下降时间是否更短
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Bill、
    是的、如果电容较小、则 CF 和 RF 的时间常数较小、FET 关断速度更快。 如果您不需要它来应对瞬态、则可以消除电容器、TVS 也可以用于瞬态、但它们确实具有一些电容。