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[参考译文] TPS43061:TPS43061 N 沟道 FET 要求

Guru**** 2392905 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43061

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/792633/tps43061-tps43061-n-ch-fet-requirement

器件型号:TPS43061

您好!

对于 TPS43061外部 N 沟道 MOSFET 应用要求、我们计划使用通用 FET ((SSM3K333R)、如下图所示。

我是否可以将该 FET 用于我们的应用?

电源输入 Vin 由可充电电池供电(7.4V 5200mAH、8.4V 时最大完全充电)、目标 Vout 为16.5V)。

在此、我们也附上 了适用于您的产品的 FET 规格。

请提供建议,谢谢。

此致、

Philip

e2e.ti.com/.../SSM3K333R.pdf

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    您好、Philip、
    支持此设备的专家已不在办公室、他将在下周返回办公室时回复您。
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    您好、Philip、

    感谢您考虑使用 TPS43061。 我不明白为什么不能使用这些 FET。

    祝您设计顺利。

    此致、
    应用工程学 Yohao Xi