[参考译文] TPS40210：VDD=6～8V 时的 VBP

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/790836/tps40210-vbp-in-case-of-vdd-6-8v

器件型号：TPS40210

大家好

如果我们问 TPS40210、您会介意吗？

数据表 P13上有相关说明；
'如果 VDD 引脚上的电压低于8V、则 BP 引脚上的电压也将小于、并且到外部 FET 的栅极驱动电压将从标称8V 降低。'

我们的客户将使用 VDD=6～8V 的 TPS40210。

VDD=6～8V 时、VBP 为多少？
内部 LDO 的 VDO (压降电压)是多少？

此致、

大田松本

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2546020 points

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Hirotaka、您好！

BP 引脚电压低于和 VDD 电压。我需要与设计团队进行检查、并检查此规格的器件数据。

为了帮助您选择 MOSFET、假设 BP 电压不会低于5V。如果是这种情况、我建议选择逻辑电平 MOSFET。这将使 MOSFET 得到完全增强。

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

Garrett

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2546020 points

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Garrett San

感谢你的答复。
我们正在等待您的设计团队的回复。

此致、

大田松本

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2546020 points

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Hirotaka、您好！

LDO 处于旁路模式时的电阻约为65欧姆。最坏情况下的压降将是 BP 引脚拉电流约为15mA 时、这会导致电压降约比 VDD 引脚电压低975mV。

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

Garrett

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