[参考译文] BQ24780S：BQ24780S EMI 问题

您好、NIC、

EMI 没有"一刀切"的答案、但您的客户可以尝试通过以下多种方法来提高 EMI 性能。  他们不需要全部完成、但我想列出各种选项、以便他们可以选择最适合他们的方法。

1. 将开关频率从800kHz 减至600kHz。  

除了改变 EMI 频率之外、当开关频率降低时、总体 EMI 通常也会降低。  这可能本身没有足够的效果来使他们通过认证、但要做的只是翻转寄存器0x12中的几个位、因此这是一个很好的起点。

2. 金属屏蔽层/CAN

这种方法的主要缺点是成本、但它在屏蔽 EMI 方面非常有效、而不会降低功效。

  3.过滤器盖

您可以通过在 尽可能靠近高侧开关 FET 的位置添加一个0.1uF 和0.01uF 陶瓷电容器来大幅降低 EMI。   陶瓷滤波电容器的"镇流器"估计值相当合理、即0.1 μ F 陶瓷电容器应能够很好地滤除~10-50 MHz、0.01 μ F 电容器应滤除~30–200 MHz。  不过、您确实需要查看数据表、并记住、电压降额会使这些滤波器频率发生很大变化。

3. 减缓 FET 的导通/关断速度

高侧和低侧开关都可能导致 EMI、因此可能需要将这种情况应用于两个 FET、但高侧 FET 往往对 EMI 具有更大的影响、因此如果只对其中一个 FET 执行此操作、请选择高侧 FET。  这可以通过在栅极驱动器和 FET 栅极之间插入一个电阻器或在 FET 栅极与源极之间放置一个并联电容器来实现。  对于低侧 FET、最好使用并联电容器、因为"米勒效应"或"米勒电容"(漏极到栅极电容)有时会导致栅极电压升高并导通低侧 FET (这种情况很少见)、 来自 G-S 的并联电容器有助于解决这一问题、因此您会得到"两只鸟、一只石头"。   

4. 向 SW 节点添加一个缓冲电路

缓冲器的工作原理是吸收 SW 节点处的高频振铃。  通常需要根据经验确定电阻器和电容器值。  根据经验调整为给定应用时、它在消除 EMI 方面非常有效、但会对性能产生重大影响(效率下降~1-2%)。  如果他们选择这种方法、 SLVA255是确定适当 R-C 值的良好基准。

我要说，这些办法的有效性顺序是：

1. 金属屏蔽非常有效、不会影响性能、但它是最昂贵的解决方案

2. SW 节点上的缓冲电路效率第二高且成本相对较低、但会显著(~1-2%、但高度依赖于组件值)影响效率。

3. 从而降低 FET 的开启/关闭速度。  与缓冲电路一样、根据经验、此组件值几乎需要针对应用进行调整。  通常、与缓冲器相比、这种情况下的效率降低了一点点(~0.5-1%)、但也可能降低了效率。

4. 如果正确的话、添加滤波器电容器会非常有效。  我列出的值略低于降低 FET 的效率、这仅仅是因为每个滤波器电容器仅滤除一定的频率范围、而显示 FET 将降低所有频率下的 EMI。  但这是一个很好的第一步(甚至是构建原理图时的抢先步骤)、因为它对效率的影响应该很小。

5. 将 SW 频率从800kHz 降低至600kHz。  降低开关频率应该会改善整体 EMI、但通常只是略有改善。  好消息是、降低开关频率实际上可以提高效率(虽然它会增加纹波、并且可能对瞬态响应产生轻微的负面影响)。

此致、

Steve