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器件型号:TPS709-Q1 您好!
能否通过将 EN 连接到电容器并将 GND 连接到 GND 来实现延迟导通? 内部300nA 电流源将为电容充电、当电流达到0.4-0.9V 左右时、LDO 将导通。 我知道这不是一个精密电路、导通阈值会发生变化。 我还感谢在快速循环通电期间可能不会发生延迟。
当移除 Vin 使该 EN 电容器衰减时、器件内部是否有路径? 否则、我将添加一个放电电阻器。
谢谢、
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