This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LP2951:热冷却要求

Guru**** 2529560 points
Other Parts Discussed in Thread: LP2951

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/789136/lp2951-thermal-cooling-requirement

器件型号:LP2951

对于一个设计、我选择了 LP2951-33DRGR、以从5V...18V 的可变输入电压转换为 MSP430 MCU 3.3V 电源。 我只需要8mA 的电流。 我想知道我是否可以使用几厘米^2的铜来冷却 SON 封装中的器件。

谢谢、
Jason

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好,

    最坏情况下的热条件将是最大功率耗散。 我们可以使用数据表的热性能信息表初步了解我们的热升高情况。 如您所述、LDO 的热性能将取决于特定于应用的条件、例如布局和与其他热源的接近程度。 热性能信息表在 JEDEC Hi-K 电路板上建模、以便在标准化布局上为热性能提供参考点。

    TJ =(Vin - Vout) x Iout x Rtheta_ja + Ta
    TJ =(18V - 3.3V) x 8mA x 52.44 C/W + Ta
    TJ = 6.2 C + Ta

    如您所见、在 JEDEC Hi-K 电路板上、结温仅比环境温度高6.2°C。

    LP2951等线性稳压器的主要散热器是 PCB 本身的 GND 平面。 因此、我们建议最大限度地增加稳压器的本地 GND 覆铜。 请记住、散热焊盘内部和周围的一系列散热过孔也有助于将热量拉至较低的 GND 铜层。 以下应用报告有助于显示 Rtheta_ja 参数如何随着 LDO 的本地 GND 覆铜的增加或减少而变化。

    www.ti.com/.../slvae85.pdf

    非常尊重、
    Ryan