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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1170682/csd17302q5a-question-about
大家好、
为什么通常在 f=1MHz 时测试 MOSFET 的结电容、频率如何影响结电容？ 下图取自 csd17302q5a 的 D/S。
-A
您好、Albert、
感谢您关注 TI FET。 据我所知、1MHz 是 TI 和大多数功率 MOSFET 供应商在其数据表中指定电容的标准频率。 一般而言、我认为选择1MHz 是因为在开关模式电源应用中、FET 通常以<= 1MHz 的频率进行开关。 我能够找到一些其他 TI N 沟道 FET 的特性数据、Ciss 和 Coss 在整个频率范围内非常平坦、尽管 Coss 在10MHz 以上显示出30%- 40%的增长。 我认为这可能是由于封装寄生效应造成的。 我找不到任何 CRSS 与频率数据、但我认为这也是相当平坦的。 此外、内部栅极电阻 RG 通常随着频率的增加而降低。 希望这对您有所帮助。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
谢谢 John！
