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我们使用 TI 的基准设计了一个使用 LMG3410RO70的半桥模块。 我们将其用于同步升压转换器运行。 我们使用开环配置对其进行了测试。 当输入电压低于30V 时、它工作正常。 但是、当我们将电压增加到30V 以上时、上部器件未正确打开、并且通过进一步增加10个以上的电压、上部器件发生故障(未从 GaN 器件内部的 LDO 获得5V 电压)。 请查找 GaN 半桥原理图和器件电压波形的附件。 在波形中、您可以看到在导通期间电压电平发生了变化。
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我们使用 TI 的基准设计了一个使用 LMG3410RO70的半桥模块。 我们将其用于同步升压转换器运行。 我们使用开环配置对其进行了测试。 当输入电压低于30V 时、它工作正常。 但是、当我们将电压增加到30V 以上时、上部器件未正确打开、并且通过进一步增加10个以上的电压、上部器件发生故障(未从 GaN 器件内部的 LDO 获得5V 电压)。 请查找 GaN 半桥原理图和器件电压波形的附件。 在波形中、您可以看到在导通期间电压电平发生了变化。
Jidhun、您好!
如果您在右圆圈前面查看电压波形、则它略低于接地电平、并且低侧 FET 可能处于第三象限运行状态。 第三象限运行将具有~7V 压降、这将产生大量损耗和热量。 重复的高损耗和高热量可能会导致 FET 发生故障。 同时、如果您在该时间段内查看相应的绿色信号、则该信号在应该为高电平时为低电平。
以下是我提出的一些建议:
1.使用热耦合/热像仪监控 FET 的温度。 标称最大工作温度为125°C。如果过热、器件可能会发生故障。
2.探测来自信号发生器和器件 IN 引脚的输入信号、并检查信号在何处出现异常行为。 检查高侧和低侧 FET 的输入生成电路。
此致、
Jidhun、您好!
对于输入信号、从原来的图中可以看出、低侧 FET 信号表现异常。 在这篇文章中、您说是高侧信号具有这种行为。 您能对此进行澄清吗?
正如我在上一篇文章中提到的、您可能需要沿路径探测 IN 信号:在隔离器之前和隔离器之后。 如果在隔离器之前发生这种情况、则是主板产生的信号的问题;如果信号在隔离器之前是正常的、但在隔离器之后表现异常、则是隔离器问题。
2.对于 LDO 信号、粉色信号似乎在升高和降低。 由于流经的电流仅为几 mA、并且有一个电容器与 LDO 连接、因此不应发生这种情况。 这很可能是测量问题。 请检查您正在使用的差分探头。
此致、
您好
Jidun、您好!
布局存在几个导致高侧 PWM 噪声的问题:
此致、