大家好、团队、
目前、我的客户在 OVLO (33V)、UVLO (20V)和浪涌保护用途(80V 持续100ms)的电路之一中使用 LM5069、但该器件需要超过55us 的响应(GATE 引脚为低电平)。 因此、在55us 内、LM5069的输出端会产生80V 电压。 器件的典型输入工作条件为28V。 为什么该器件在 OVLO 检测到的情况下需要55us 的响应、但在数据表中、它提到了栅极为低电平的11us?
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大家好、团队、
目前、我的客户在 OVLO (33V)、UVLO (20V)和浪涌保护用途(80V 持续100ms)的电路之一中使用 LM5069、但该器件需要超过55us 的响应(GATE 引脚为低电平)。 因此、在55us 内、LM5069的输出端会产生80V 电压。 器件的典型输入工作条件为28V。 为什么该器件在 OVLO 检测到的情况下需要55us 的响应、但在数据表中、它提到了栅极为低电平的11us?
您好、Mayank、
感谢您的支持!
11us 是延迟响应、而不是栅极放电至低电平的时间。 对于 OVLO 事件、控制器以2mA 下拉电流下拉栅极、因此放电时间取决于栅极引脚上的有效电容。
请尝试在栅极处使用齐纳钳位、如 http://www.ti.com/lit/an/snva683/snva683.pdf 所示 并进行测试。
BR、Rakesh
您好、先生、
感谢您的快速响应。
我的客户实施了上述更改、并观察到以下结果:
它们 将具有500mW 性能的齐纳二极管(36V 钳位)放置在 LM5069的栅极引脚上。 以下是测试用例及其结果。
测试案例:1.
28V DC 标称输入电压和60VDC 的电压尖峰脉冲、持续一秒。
结果:1.
未观察到故障(具有和没有400mA 负载)。
测试案例:2.
28V DC 标称输入电压和70VDC 的电压尖峰脉冲、持续一秒。
结果:2.
观察到的故障(带和不带400mA 负载)。 齐纳二极管、导通元件(MOSFET)损坏、引脚1和2附近的 LM5069体有明显的灼伤痕迹。
测试案例:3.
28V DC 标称输入电压和75VDC 的电压尖峰脉冲、持续一秒。 通过62k 串联电阻器连接到 LM5069栅极引脚。
结果:3.
观察到故障(无400mA 负载)。 反向电压阻断二极管(最大电流为250mA)损坏。