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[参考译文] LM5106:LM5106:输出电容

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5106
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/860382/lm5106-lm5106-output-resitance

器件型号:LM5106

LM5106的输出电阻是多少?

(HO 高电平、HO 低电平、LO 高电平、LO 低电平)

它们有多大变化?(最大值、典型值、最小值)

此致、

Junichi Nomura

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    您好!

    感谢您关注 LM5106。 驱动器输出电阻可由驱动器输出饱和电压 VOLL、VOHL (对于低侧驱动器)以及 VOLH 和 VOHH (对于高侧驱动器)决定。 测试条件为100mA、因此电阻是饱和电压的10倍。 请参阅下面的参数表。

    低侧驱动器和高侧驱动器下拉电阻的典型值为2.1欧姆、最大值为4欧姆、低侧驱动器和高侧驱动器上拉电阻的典型值为5欧姆、最大值为8.5欧姆。


    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、


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    您好!

    感谢您的回答。

    我还有进一步的问题。

    HO 和 LO 峰值毛刺电流与输出电压间的关系曲线(LM5106数据表中的图9)在100mA 变化时如何随输出电阻变化?

    它们是否按逆比例变化?

    此致、

    Junichi Nomura

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    您好 Junichi、

    驱动器峰值电流不仅取决于驱动器电阻和 VDD、即 VHB。 驱动器内部器件增益参数和前置驱动器输入电压会将驱动器输出电流限制为小于驱动器电阻和驱动器源电压。

    由于驱动器电流被限制在一个比电阻和电压值更低的值、视在电阻将随着驱动器两端的电压的增加而增加。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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    您好 Richard、

    感谢您的回答。

    我还有进一步的问题。

    我想知道 HO 和 LO 峰值毛刺电流与输出电压特性变化对驱动型 MOSFET 开关特性的影响。

     如何通过 LTSPICE 仿真驱动器内部器件增益参数和前置驱动器输入电压变化的影响?

    此致、

    Junichi Nomura

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    您好 Junichi、

    第一个潜在问题是 TI 提供的器件模型已通过 PSPICE 进行确认。 我们已经报告了其他仿真器的语法和其他错误、例如我们无法支持的 LTSPICE。

    通过调整外部栅极电阻以增加总驱动器加上外部电阻、可以模拟栅极驱动能力的降低。 添加2欧姆作为关断电阻、添加~3.5欧姆作为导通电阻、以模拟更高的总电阻。

    确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、