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[参考译文] TPS73801:TPS73801可实现11.6V@1A 的输出电压?

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS73801
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/861493/tps73801-11-6v-1a-output-voltage-implementation-of-tps73801-achievable

器件型号:TPS73801

您好,

我们正在寻找 TPS73801的两个输出电压选项

选项1.我们将 TPS73801用于我们的设计中的低压降应用。 输入 Vin =12V、输出电压配置为11.6V (根据数据表可考虑0.4V 压降)。 电阻分压器 R1 =1.87K、R2 =16K。 根据公式、我们得到的理论值为11.61V。请告知我们此实现是否提供 11.6V@1A 的预期输出。 已附加相同的原理图。请尽快分享您的反馈。

方案2.对于同一电路,如果我们调整电阻分压器 R1=1.96K,R2=16.9K, 则理论值为11.69V。 请告诉我们 TPS73801 @1A 负载电流是否可以实现此输出电压。我怀疑11.69V 是可以实现的、因为整个范围的压降电压为0.4V。如果它提供11.69V 恒定输出电压、我们将继续使用此选项。

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    您好!

    您能否尽快对此进行更新。我已随附电路原理图实现 FYR。  

      

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    您好、Vishal、  

    我们将在2个工作日内对此进行调查、我们将在周三之前回复您。  

    此致、  
    Jason  

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    您好 Jason、

    请尽快更新!

    此致、

    Vishal.a

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    选项1.我们将 TPS73801 用于我们的设计中的低压降应用。 输入 Vin =12V、输出电压配置为11.6V (根据数据表可考虑0.4V 压降)。 电阻分压器 R1 =1.87K、R2 =16K。 根据公式、我们得到的理论值为11.61V。请告知我们此实现是否提供 11.6V@1A 的预期输出。 已附加相同的原理图。请尽快分享您的反馈。

    -输入电压和输出电压的0.4V 余量可使输出稳定在11.6V@1A。 但我确实看到您有一个开关 DMG2301l、该 MOSFET 可能会在1A 负载下产生额外的压降、从而降低 LDO 的 Vin 和 Vout 之间的余量。  

    方案2.对于同一电路,如果我们调整电阻分压器 R1=1.96K,R2=16.9K, 则理论值为11.69V。 请告诉我们 TPS73801 @1A 负载电流是否可以实现此输出电压。我怀疑11.69V 是可以实现的、因为整个范围的压降电压为0.4V。如果它提供11.69V 恒定输出电压、我们将继续使用此选项。

    -请参阅我之前的问题,您将得到 MOSFET 的额外压降,这将减少余量。 当输出设置为11.69时、余量会变得更小、并且器件可能会在满1A 负载时进入压降状态。  
    此致、  
    Jason Song
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    您好 Jason、

    感谢您的反馈。 更新后的 MOSFET 的 RDS (on)为68m Ω。 因此、如果电流为1A、电压下降大约为100mV、此时 Vin =11.9V。 我们调整了电阻器值 R1=2.47K 和 R2=21K、以获得11.5V 的输出电压。 我希望这种实现方式是刚性的、能够以11.5V 的恒定输出电压提供1A 的负载电流、而不会出现任何波动。请确认这一点。

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    您好 Jason、

    请确认这一点吗?

    此致、

    Vishal.a

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    您好、Vishal、  

    是的、考虑到该器件在1A 负载下的最大压降规格为400mV、从输入电压到输出电压的400mV 余量就足够了。  

    此致、  
    Jason