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[参考译文] LM66100:LM66100 Vin 晶体管泄漏问题

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM66100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/857278/lm66100-lm66100-vin-transistor-leakage-problem

器件型号:LM66100

我参考手册构建了 RCB 电路。 输出端子连接到电池。 测量电池电压以获得3.9v。 测量了 lm66100的一个引脚、即输出端子也具有3.9v 的电池电压。 但根据设计、电路只能为电池充电、反向不应有电压。 为什么这里有3.9v 的电压?

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    您好、Zhang、

    我只想确认您的设置:

    您将在始终开启的 RCB 拓扑中使用该器件。

    您正在将电池连接到输出端。 电池上的电压为3.9V。

    器件的输入保持浮动、但您在输入端看到的电压为3.9V。

    我的理解是否正确?

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    是 的,是正常的?是正常的

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    输入端子接地电阻。 我尝试了1m10k \ 4.7K、但结果相同。 这是由泄漏电流引起的吗? 如何处理?

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    您好、Zhang、

    我将在 EVM 上对此进行测试、并尽快返回给您。 由此给您带来的不便、我们深表歉意。

    到目前为止、我还没有现成的 EVM、但我认为由于 PMOS 架构、器件通道打开、RCB 未触发。 如果您有 EVM、我建议您尝试使用它。

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    我的应用是输入端4.25V 充电电压、输出端单节锂电池和 lm66100、以阻断反向电流。 lm66100是否适合此应用? 是否建议使用其他方案?

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    您好、Zhang、

    我能够对 EVM 执行此反向电压测试。我为 RCB 设置器件、并在输出端施加电压并测量输入。

    虽然存在一些泄漏电流、但我无法将输入电压升高超过几 mV。

    在输入电阻接地的情况下、输入端没有电压。

    您能否确认在多个器件上出现相同的问题? 您还能发布测试范围吗?

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    接地电阻是多少? 您能否与我分享您的原理图?

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    您好、Zhang、

    我使用了 LM66100 EVM。 您可以在以下位置的用户指南中找到原理图: http://www.ti.com/lit/ug/slvubl9/slvubl9.pdf

    在测试中、我在输入轨上使用了10k 下拉电阻器。

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    我检查了原理图和测试过程。 不同的测试过程应该会导致不同的测试结果。 首先、我使用充电电压为电池充电。 此时、我打开 lm66100的 MOS、然后关闭充电电压。 此时、IN 端子为空、接地端有电阻。 测得的 VIN 电压与 Vout 端子的电池电压相同、也就是说、MOS 未关断。 充电电压为4.25V、电池电压为3.9v。 您的测量过程不应具有在关闭条件下测量的 MOS 的打开过程。 请帮助我们分析我们的应用。 充电电源由我们的外部客户设备提供。 拔下充电电源后、电池电流不会回流、也就是说、当输入端子具有小负载时、电池消耗过大。

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    您好、Zhang、

    在 RCB 中、当输出电压大于内部比较器电压输入时、集成 MOS 将关断。

    请确认此问题发生在多个器件上、如果可能、也发生在 EVM 本身上。 我无法在实验室中重复您的问题。