Other Parts Discussed in Thread: TPS65268-Q1
大家好、
我的客户使用 TPS65268-Q1、发现 SW 引脚负脉冲 非常大。
1)DDR=1.5V
2)VDDARM-1.37V
3)3.3VK
目前在原理图中没有发现明显的问题。
在布局中、Vin 和输入电容器放置在底层;电感和输出电容器放置在顶层。 输入电源环路很长、这可能是原因之一。
此外, 当在 SW 引脚的接地端(10R+1nF)添加 RC 时 ,没有发现明显的改进。
请帮助确认问题、谢谢!
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大家好、
我的客户使用 TPS65268-Q1、发现 SW 引脚负脉冲 非常大。
1)DDR=1.5V
2)VDDARM-1.37V
3)3.3VK
目前在原理图中没有发现明显的问题。
在布局中、Vin 和输入电容器放置在底层;电感和输出电容器放置在顶层。 输入电源环路很长、这可能是原因之一。
此外, 当在 SW 引脚的接地端(10R+1nF)添加 RC 时 ,没有发现明显的改进。
请帮助确认问题、谢谢!
你好,Lishuang,
感谢您的回复。
至于测量、我还向客户确认他们使用相同的最小 GND 环路进行测试。
我将要求客户放大波形1和3的上升沿和下降沿。
我也不知道为什么波形2 VDDARM-1.37V SW 上升沿没有振铃。
请问您是否有一些 常用的方法来减少上升?例如:
1) 1)在 BST 引脚(升压)中添加串行分辨率
2) 2)在 SW 引脚中添加 RC
3) 3)在 Vin 中添加 RL:
我可以让客户尝试一下它是否正常工作。
我如何证明 Vin 电容器位于底部的主要原因? (在 Vin 中添加另一个更近的电容器以证明?)
谢谢!
尊敬的 Amelie:
上述三种方法都是常见的方法。 添加了一个特性、即仔细的 PCB 布局、以最大限度地减小电路中的寄生环路电感。 您可以在第5页底部的以下链接中找到。 您还可以在第8页的顶层和底层找到输入电容器之间的比较。
http://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf?keyMatch=RINGING%20REDUCTION%20TECHNIQUES%20FOR%20NEXFETTM%20HIGH%20PERFORMANCE%20MOSFETS&tisearch=Search-EN-everything
是的、如果客户可以将输入电容器放置在顶层并靠近 Vin、这是最好的。
谢谢、
Lishuang