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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858297/csd22206w-idss-at--4vds-igss-at--4vgs
您好！
我们的客户需要了解-4V VDS 和-4V VGS 下的 IGSS。 请告诉我们这些数字。
此致、
您好、IMI-SAN、
感谢您向客户推广 TI FET。 这与我为您的另一个 e2e 帖子提供的答案相同。 如果您想进一步讨论、请随时通过我的 TI 电子邮件地址与我联系。
在这些条件下、我们不测试漏源和栅源泄漏电流或对其进行规格说明。 因此、我没有要共享的数据。 在产品开发过程中、我们会在数据表中指定的条件下收集多个样本的 IGSS 和 IDSS 数据：在25C 条件下、VDS = 0V 且 VGS =-6V 时测量 IGSS。 在25C 条件下、在 VGS = 0V 且 VDS =-6.4V 时测量 IDSS。 通常、此数据表明 IGSS 和 IDSS 均远低于-100nA 限制。 但是、我们只能保证数据表中的限值(-100nA)。 此外、IGSS 和 IDSS 都具有正温度系数、这意味着泄漏电流的幅度随着温度的升高而增大。 由于这是一个 p-n 结、因此对 IDSS 的影响要大得多、而对 IGSS 的影响则小得多、因为这是栅极氧化层隔离层。
从我所读出的内容来看、VDS 对 IDSS 的影响很小、VGS 对 IGSS 的影响也很小。 您能告诉我有关该应用的更多信息吗？ 对于 VDS 和 VGS、客户为何关注-4V 电压下的 IGSS 和 IDSS？
跟进以查看您是否有任何其他问题。 如果第二天我没有听到您的问题、我会认为这已经充分解答了您的问题。
感谢您的回答。 这个问题的背景是1uA (最大值) IDSS 的高电平不足以接受他的应用、他希望 IDSS 在 VDS=4V 的实际应用中会变得更低。
我是否知道 IDSS 是反向偏置饱和电流、因此该数字会根据晶体管尺寸增大、Rdson 越小、IDSS 越高。
你是对的。 IDSS 是 VGS = 0V 时体二极管的反向泄漏电流。 在 Vds =-6.4V 且 T = 25C 时、CSD22206W 的最大 IDSS =-1uA。 我检查了特性数据、测试的所有器件都小于100nA。
感谢您的信息。
请 您与我们的客户分享 CSD22206W、CSD22205L IDSS 温度范围内的评估或分布数据以供参考。
您好 Toshiro、
我将向您的 TI.com 电子邮件发送特征评定数据。 我不能在这个公开论坛上分享。
尊敬的 John：
非常感谢你的帮助。 我将在获取 CSD22206W、CSD22205L IDSS 数据后立即结束本次讨论。
我期待收到这些数据。
