主题中讨论的其他器件: TPS745、 LP2981A、 LMG1210、 LP2986
您好!
我使用 lp38692sd-5.0/nopb 稳压器为基于 GaN 的半桥电路中的 LMG1020供电。
在增加半桥的直流输入电压时、顶部开关的 Vgs 超过6V (绝对最大栅源电压)。
因此、如果您能向我推荐一些稳压器、其中的输出电压可调节至4/4.5/5V、以便我能够有足够的电压裕量来驱动顶部器件的栅极、我将非常感激。
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您好!
我使用 lp38692sd-5.0/nopb 稳压器为基于 GaN 的半桥电路中的 LMG1020供电。
在增加半桥的直流输入电压时、顶部开关的 Vgs 超过6V (绝对最大栅源电压)。
因此、如果您能向我推荐一些稳压器、其中的输出电压可调节至4/4.5/5V、以便我能够有足够的电压裕量来驱动顶部器件的栅极、我将非常感激。
您好 Hitesh、
感谢您关注我们的驱动器。
根据您的应用要求、TPS745是一个很好的替代方案(最大值为6V abs、50mA)、但是、我还将研究栅极电压过冲的根本原因(可能与布局相关、可能需要优化 PCB 布局)、以最大程度地减少栅极上的过冲/下冲。
您将在以下链接中找到其他 LDO:
http://www.ti.com/power-management/linear-regulators-ldo/products.html
如果您有其他问题、请告知我们、如果解决了您的问题、请按绿色按钮。
此致、
-Mamadou
您好、Hitesh、
感谢您的更新、
在我看来、开关节点上可能存在负电压、这会对自举过度充电。 为了确认这一理论、您能否采用另一个开关节点波形、重点关注死区时间期间的任何负电压以及高侧电源(VDD 开关节点)。 要尝试快速修复、您可以在高侧 VDD 和高侧电源电容器之间插入一个电阻器、以防止在负开关节点电压期间快速充电。 该电阻器可能能够防止高侧电源看到过大的自举电源电流、该电流将高侧电源快速充电至高达 VDD+负开关节点电压。
它用于什么应用?
栅极振铃似乎与布局相关、您能否共享您的布局(重点关注高侧1020)?
您是否能够使用 LMG1210 (专用 GaN 半桥驱动器)来帮助实现自举过充?
谢谢、
您好、Hitesh、
感谢您的更新、您是否也可以共享此原理图?
1020输出与 EPC 门之间有什么区别? 1020分离输出上似乎有4个并联组件?
EPC 来源的深红色迹线是什么? 绿色是顶部最相邻的层吗?
在之前的栅极波形中、为什么栅极在-6V 开始、然后在4ns 内变为0V、同时出现振铃? 通常、输出栅极脉冲从0V 变为5-6V。 您能否从原理图中告诉我您在哪里探测该波形?
由于这是一个半桥、低侧开关会发生什么情况? 高侧和低侧是否具有具有具有死区时间的互补输出? 如果是、死区时间是多少?
谢谢、
谢谢 Hitesh、
如果低侧开关布局看起来像 高侧、那么我就不需要评论了。 在高侧、我将移除所有铁氧体磁珠、并将1020输出直接短接至栅极(也适用于低侧)。 FB 在高频时的阻抗似乎过高。 我们建议在每个分离输出上使用2 Ω 0201或0402电阻器、以帮助实现振铃。 但是、我想看到一个波形、其中猪尾在栅极信号的顶层和0欧姆电阻器。
当栅极 FB 焊盘位于顶层时、为什么需要使用电路板底部探测栅极至源极焊盘? 我的建议是尝试找到一个靠近高侧 FET 源极的 GND1点。 然后使用尾纤探头测量。
另外、2层绿色接地回路应包含 EPC 的整个驱动器和源极引脚。 您使用的是什么 EPC? 基板引脚是否以低电感连接到源极引脚?
您知道平均负载电流和峰值负载电流是多少?
谢谢、
尊敬的 Jeff:
实际上、我先前上传的 Vgs 波形是通过仅使用0402封装尺寸的2欧姆电阻器替换铁氧体磁珠而获得的。
OUTH 和 OUTL 各连接一个电阻器(PCB 中的两个电阻占用空间是当前未使用的额外电阻占用空间)。
我已经浏览过 TPS745的数据表、但最大输入电压范围为6V。
如果您建议使用另一个线性稳压器、该稳压器可处理大于10V 的最大输入电压并为 LMG1020提供严格的电压调节、我将非常感激。
您好、Hitesh、
感谢您的更新。
查看用于 VDD 驱动电压的 LP2981A LDO (位于1020 EVM 上)、该电压有助于将栅极调节到5V 的5%并允许高达16V 的输入。
在测试此解决方案的同时、我认为此主题已解决。 请重新发帖让我知道这是否有助于解决6V 问题以及振铃问题。
此外、您还可以添加更多 VDD 电容以稳定电压(1uF 以支持470nF 馈通电容、该电容已经存在)。
谢谢、