[参考译文] LM5105：LO 输出短路时的用法

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/830956/lm5105-usage-when-lo-output-is-short

器件型号：LM5105

我们使用 LM5105设计了半桥 MOSFET 驱动器电路、如图1所示。
我们尝试以60Hz 的流低、高侧16.6ms 和低侧1.8μs 连续驱动。
其他信息如下所述。

VDRV_L：该电路的参考电压(非 GND)
VDRV_H：最小5V、最大15V (由用户可变)
VDD：12V
VSS：0V (VDRV_L)
EN：3.3V
DIN：高=3.3V、低=0V

DOUT 未连接到任何负载。

我们实际上执行了这样的驾驶并发现了问题。
DOUT 的波形下降得非常慢。
1.8μs 图2、完全为低电平所需的时间长于1 μ s。
如图3所示、HB 电压在高电平期间逐渐下降。

这些问题的原因是什么？
我们希望在 DOUT 缓慢下降的情况下驱动该电路。
您对改善这种情况有什么想法吗？

谢谢你。

<<图1 >>

<<图2>>

<<图3 >>

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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您好！

感谢您关注 LM5105。查看您提供的示波器图、看起来在1.8us 下、切换为低电平的 DOUT 时间与预期的时间相同、但开始时电压不会变为低电平。我想确认这是问题所在。

我在应用中有一些问题。如果低侧 MOSFET 以该电压为基准、LM5105 VSS 引脚和驱动器输入控制信号也以该 VDRV_L 为基准、则具有偏置电压的 VDRV_L 应该正常当低侧开关打开时、低侧 MOSFET 应切换到该基准。

一个问题。示波器图是否是图中 VDRV_L 电压的接地基准？如果示波器探头以接地为基准、请确认 VDRV_电压波形与 DOUT 相比是什么样的。在开关期间、VDRV_L 电压可能不是直流电压。

此外、我对 MOSFET 漏极和源极之间连接的 R8和 R14电阻器的功能很好奇。确认电阻是否影响波形。

使用以 VDRV_L 为基准的示波器接地确认低侧 MOSFET 漏极信号的外观

请确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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感谢您的回复！
如前所述、我们的问题是 DOUT 在开始切换为低电平时不够低。

图1显示了 VDRV_L 电压[DC：-4V]和 DOUT。两者都以接地为基准。
VDRV_L 看起来有一点噪声、但失真不是很大。

图2显示了低侧 MOSFET 漏极信号[D2]和 DOUT。

此外、我们放置了 R8和 R14来准备直接进入 MOSFET 的过流。
但我认为，这些阻力并不那么重要，可以更改为0欧姆电阻。

图3显示了 R8和 R14上电阻为0欧姆的低侧 MOSFET 漏极信号[D2]和 DOUT。
DOUT 比以前达到低电平。
我认为情况似乎有所改善，但并非从根本上改善。

如果您还有其他需要检查的内容、请再次告诉我。

谢谢你。

<<图1 >>