我们的客户对超过0.5us 时输出脉冲拉电流/灌电流的绝对最大额定值有疑问。
您有降额曲线吗?
他们希望使用以下 MOSFET。
CIS:6650pF
CRSs:490pF
输出电容:4300pF
内部栅极电阻器:4.1欧姆
外肛门电阻:22欧姆+/-5%
漏极电压:12V +/-5%
脉宽3.3ms。
在这种情况 下、他们发现峰值电流为504mA、在仿真中估计上升时间约为1.6us。
在这种情况下、他们想知道是否可以使用 UCC27524。
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我们的客户对超过0.5us 时输出脉冲拉电流/灌电流的绝对最大额定值有疑问。
您有降额曲线吗?
他们希望使用以下 MOSFET。
CIS:6650pF
CRSs:490pF
输出电容:4300pF
内部栅极电阻器:4.1欧姆
外肛门电阻:22欧姆+/-5%
漏极电压:12V +/-5%
脉宽3.3ms。
在这种情况 下、他们发现峰值电流为504mA、在仿真中估计上升时间约为1.6us。
在这种情况下、他们想知道是否可以使用 UCC27524。
你好 Kura、
感谢您帮助推广我们的驱动器、我叫 Mamadou Diallo、是高功率驱动器组的应用工程师。
我有几个问题需要澄清,以便我发表评论并提出适当的建议:
您能否澄清栅极驱动电压 VDD? MOSFET 的总栅极电荷是多少? 它们是否具有 MOSFET 导通/关断时间的目标范围? 开关频率是多少? 掌握这些详细信息将有助于我估算打开/关闭 MOSFET 所需的电流。
尽管如此、22欧姆的外部栅极电阻将显著降低栅极驱动电流、因为栅极上的峰值电流将为 VDD/Rgate、其中 Rgate 是导通/关断路径上的总阻抗(IC 内部电阻+外部栅极电阻+ MOSFET 内部电阻)。
此致、
-Mamadou
Mamado-San
很抱歉我迟到了。
我们收到了您要求客户提供的信息。
栅极驱动电压 VDD:12V +/-5%
MOSFET 的总栅极电荷:总栅极电荷(栅源极加栅漏极):数据表中的典型值85nC (VDD≈32V、VGS = 10V、ID = 150A @25C)。
MOSFET 导通时间周期:3.3ms,关断时间周期:Long Time...
MOSFET 开通/关断时间的目标范围:<5us
此致、
您好、Hirotsugu、
我与 Mamadou 一起工作、在他不在办公室时会解答您的问题。
根据您的描述、驱动器的电流额定值不应成为问题。
驱动器额定值为5A 峰值和0.3A 直流或平均值。 您对运行时序的描述表明、虽然未指定频率、但频率较低。
基于 Qg 的驱动器平均电流如下:Iavg= Qg x Fsw。 因此、对于87nC、我将假设导通时间为3、.3ms、关断时间为3.3ms、以计算电流。 Iavg = 87nc x 1/6.6ms = 13.2uA。
由于频率如此低、因此驱动87nC 的平均电流非常小。 驱动器额定电流不应存在问题。
请确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
您好、Hirotsugu、
我们没有根据您的请求发布 UCC27524的电流与时间关系曲线。
脉冲为504mA、脉宽为3.3ms、这是我们的理解。 您能解释一下驱动器正在驱动的负载吗? 如果存在容性负载或 MOSFET 栅极、则驱动器峰值电流应仅在上升和下降时间存在。 从驱动器输出到接地之间是否存在低电阻?
如果驱动器输出脉冲宽度为3、3ms 且上升时间为1.6us、我假设下降时间为1.6us、则上升沿和下降沿将有一个~1.6us 的驱动器峰值电流。 确认这是波形。 如果是这种情况、平均电流将非常低、这不是问题。
您能否提供 UCC27524运行的最短脉冲关断时间或最大频率? 我们仍然希望获得能够提供驱动器平均电流的信息。
此致、