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尊敬的所有人:
我对 UCC27511。有一些功能问题
驱动电流规格为:4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流。 两者之间的电流差非常大。 这是如何实现的?
2.对于 同相输入电路、 是否可以移除功率电感器? 如果我们要输出3.5A 或4A 驱动电流、如何选择 VDD 和 VSOURCE 电压? 需要特别注意的高速 MOS 管的规格是什么(开关速度、节点电容、Rdson)、如何确认规格?
3. 实际驱动电流如何根据外围设备和工作电压计算所需的电流值?
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尊敬的所有人:
我对 UCC27511。有一些功能问题
驱动电流规格为:4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流。 两者之间的电流差非常大。 这是如何实现的?
2.对于 同相输入电路、 是否可以移除功率电感器? 如果我们要输出3.5A 或4A 驱动电流、如何选择 VDD 和 VSOURCE 电压? 需要特别注意的高速 MOS 管的规格是什么(开关速度、节点电容、Rdson)、如何确认规格?
3. 实际驱动电流如何根据外围设备和工作电压计算所需的电流值?
用户好!
感谢您关注我们的驱动器。
1.驱动电流规格的不对称性是通过设计优化 MOSFET/IGBT 的关断、客户可能希望在这种情况下不对称地驱动它们
功率器 件、以实现比导通更快的关断速度、从而防止在驱动互补 FET 时击穿、或特别在处理 IGBT 时更大限度地减少米勒电流相关问题。 另一方面、过高的栅极电流会导致栅极过冲、从而导致系统中的 EMI、并且通常可由串联栅极电阻控制。
如果您正在寻找具有对称驱动强度的驱动器、可查看具有单路输出的4A/拉电流/4A 灌电流能力的 UCC27517。
2. 您是否询问驱动强度与电源范围的关系? 您对 VSOURCE 的看法是什么?
在较高的 VDD 电平时、驱动器的峰值电流最高、通常大于12V、同时将 VDD 保持在建议的工作条件下。
3.您可以使用 DQ/dt = C * DVDD /dt = IPK 根据栅极电荷、所需的导通/关断时间(即0.1us)确定所需的驱动强度
其中、DQ=栅极电荷、dt =开通/关断时间、IPK =驱动器所需的峰值电流。
您可以通过以下公式估算流出驱动器的峰值电流:IPK = VDD / R、其中 VDD =栅极驱动电压、R =导通/关断路径上的总阻抗(内部+外部)。
此致、
-Mamadou