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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/858554/bq76940-improve-mosfet-opening-time-of-bq76940
您好、TI 人
您是否会帮助改善 BQ76940的 MOSFET 打开时间？ 谢谢！
您好、Tony、
BQ76940具有用于 FET 的电阻驱动器。 数据表电气特性 http://www.ti.com/document-viewer/BQ76940/datasheet/electrical-characteristics-slusbk25983#SLUSBK25983的充电和放电驱动器部分显示了关断电阻 。 未说明导通电阻、而是负载电容的上升时间、它大约为5k Ω。 通常情况下、DSG 驱动器与一些外部电阻一起使用、以调整关断时间并使瞬变远离 IC。 虽然 EVM 显示该电阻为0欧姆、但它不会提供最佳的瞬态性能。 如果驱动 FET、CHG 驱动器通常需要一些外部电路、请直接参阅数据表 http://www.ti.com/document-viewer/BQ76940/datasheet/fet-driving-chg-and-dsg-slusbk23487#SLUSBK23487中的图8。 由于 R2较大、充电 FET 的关闭或打开速度会较慢。 通过使 R2更小可以更快地关断、但会导致更大的电流。
应用手册 http://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf ( 尤其是图13)是增加 MOSFET 关断或开路时间的简单电路的一个很好参考。 一些设计人员喜欢 TIDA-01093中类似 SCR 的电路以实现快速关断、而其他设计人员则不喜欢、因为该电路可能对瞬态触发很敏感、一旦触发、SCR 就会关闭、直到栅极电压被移除。 避免触发的组件也会降低导通状态栅极电压、但这对快速关断 FET 非常有效。 DSG 通常是主要问题、某些电路也可针对 CHG FET 轻松实现。 http://www.ti.com/lit/an/slua773/slua773.pdf 的图6 显示了一个 P 沟道晶体管关断的示例、在本例中为一个 P 沟道 FET、用于改善充电 FET 的关断。
如有需要、可使用独立的栅极驱动 器来实现放电 FET、请参阅 http://www.ti.com/gatedrivers。 DSG 驱动器应易于实施、但您需要合适的电源。 如果 CHG 驱动器需要、您可能仍然具有相同的电路、或者使用隔离式栅极驱动器、该驱动器会占用更多电路。
