您好!
参加 LM5069上的4kV 浪涌测试的客户发现、LM5069和 MOSFET 的降级非常简单。 它们在 OUT 引脚上添加了 TVS、 钳位电压为75V。 在数据表中、VIN 的最大电压为80V。 TVS 器件型号为 SMDJ85CA。
下面是原理图:在 OUT 引脚和 GND 之间的上添加 TVS。
能不能提出一些建议、谢谢
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尊敬的 Betty:
为了支持浪涌测试、LM5069应在器件接地路径中配置背对背 MOSFET 和二极管、如 http://www.ti.com/lit/an/snva683/snva683.pdf 所示
然后、需要调整输入 TVS 的大小以吸收浪涌电流(4kV/15Ohm = 266A)、同时保持 TVS 钳位电压为100V (LM5069的绝对最大电压)。 使用 两个 串联的30V TVS 二极管(例如 MPLAD15KP30CA)将能够处理大电流。
BR、Rakesh
尊敬的 Betty:
1.客户在 LM5069的输出端添加了浪涌源、它与 snva683不同。 它们是否可以使用与 snva683中所示图5相同的电路?
尽管我们从未进行过测试、但即使在输出侧出现浪涌时、它也应该起作用。 在这种情况下、在输出侧添加 TVS 二极管
2.他们发现 在 Scuca683中、LM5069中有两个接地端、如何连接这两个接地端? 在客户应用中、仅一个接地。
器件接地是 LM5069周围所有组件的虚拟基准。 该节点通过二极管 D1连接到系统接地(请参阅 snva683中的图-5)。 有关布局参考 http://www.ti.com/lit/ug/slvuaa1/slvuaa1.pdf、请参阅 EVM 用户指南
3.浪涌路由的总阻抗为40欧姆,而不是15欧姆
在这种情况下、应串联两个5.0SMDJ30A TVS 二极管
BR、Rakesh
您好、Rakesh、
这是 James Zhan、从现在开始、我将为这位客户提供支持、因为 Betty 正在迁移到另一个团队。
1.由于 snva683用于输入侧,您能否共享输出侧浪涌的原理图? 这里没有背靠背 FET。
2.现在无需更改 PCB,您是否有任何建议让客户运行这两个接地的测试?
[报价用户="Rakesh"]器件接地是 LM5069周围所有组件的虚拟参考。 该节点通过二极管 D1连接到系统接地(请参阅 snva683中的图-5)。 有关布局参考 http://www.ti.com/lit/ug/slvuaa1/slvuaa1.pdf、请参阅 EVM 用户指南
如果您有更多建议、请告诉我、谢谢!