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[参考译文] LM5088-Q1:MOSFET 栅极和开关节点处的振铃

Guru**** 2553420 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5088

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/831421/lm5088-q1-ringing-at-mosfet-gate-and-switching-node

器件型号:LM5088-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5088

当我们测试 LM5088时、MOSFET 栅极和开关节点中的振铃过多。 我们尝试添加缓冲器、在靠近 MOSFET 的位置添加电容器、但这没有任何作用。 不确定是什么导致了这种振铃。  

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    您好!  

    开关节点振铃是 IC 中包含的随机 RLC 电路的影响。 存储在该网络中的能量反过来会影响振铃量。 话虽如此、将控制器的高频输入电容器保持在靠近器件的位置、此外、降低过流环路电感也非常重要。

    我们许多具有内部输出 FET 的现代转换器已最大限度地减小了 VIN -> SW amd GND -> SW 之间的环路电感、因此即使所有这些都可以注意到、振铃也非常小。

    那么、这么说后、您能否与我分享您的布局、以便我了解是否可以对其进行改进?

    如果您想了解有关振铃和 EMI 的更多信息、请阅读以下内容...

    http://www.ti.com/lit/an/slyt682/slyt682.pdf

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    你(们)好

    感谢您的支持。 我们将浏览该文档。 请告诉我我们可以在哪里改进电路板布局。  

    输入电压:48V

    输出:12V

    输出电流5A

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    如前面所述、专注于保持电流环路较小、以最大限度地减小环路电感。 以上是一些编辑。

    请确保测量的电感较低、以确保精确测量开关节点振铃。

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    你(们)好

    感谢您的持续支持。 我一定会在这里尝试更新。 这是 PCB 的背面、请看一下需要改进的地方

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    在深入了解布局之前、您能否在 SW 节点上为我们提供低阻抗测量? 请使用无源探头或差分探头(如果可能)进行 Tip & Barrel 测量。

    这将让我们真正了解实际存在的振铃量。

    谢谢你。

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    你(们)好

    我们已经执行了测试。 请使用差分探头和电流探头查找以下示波器图像。 请告诉我如何提高性能。

    栅极波形

    输出电压和电流

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    我首先要提出我在布局方面提到的建议。

    感谢您获得差分探头测量结果。 事实证明、这是任何测量误差。

    此外、您还可以查看具有更好开关特性的不同功率 FET。

    最后、您能否分享缓冲器对振铃效应的前后照片? 它看起来不像它做了很多事情。

    同时、您可以考虑降低 HS FET 导通的压摆率以减少振铃。 这可以通过 RBOOT 实现。 请记住、这确实会导致效率损失、因为导通时间更长、开关损耗更大。

    http://www.ti.com/lit/an/slyt465/slyt465.pdf