主题中讨论的其他器件:LM5088
当我们测试 LM5088时、MOSFET 栅极和开关节点中的振铃过多。 我们尝试添加缓冲器、在靠近 MOSFET 的位置添加电容器、但这没有任何作用。 不确定是什么导致了这种振铃。
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您好!
开关节点振铃是 IC 中包含的随机 RLC 电路的影响。 存储在该网络中的能量反过来会影响振铃量。 话虽如此、将控制器的高频输入电容器保持在靠近器件的位置、此外、降低过流环路电感也非常重要。
我们许多具有内部输出 FET 的现代转换器已最大限度地减小了 VIN -> SW amd GND -> SW 之间的环路电感、因此即使所有这些都可以注意到、振铃也非常小。
那么、这么说后、您能否与我分享您的布局、以便我了解是否可以对其进行改进?
如果您想了解有关振铃和 EMI 的更多信息、请阅读以下内容...
我首先要提出我在布局方面提到的建议。
感谢您获得差分探头测量结果。 事实证明、这是任何测量误差。
此外、您还可以查看具有更好开关特性的不同功率 FET。
最后、您能否分享缓冲器对振铃效应的前后照片? 它看起来不像它做了很多事情。
同时、您可以考虑降低 HS FET 导通的压摆率以减少振铃。 这可以通过 RBOOT 实现。 请记住、这确实会导致效率损失、因为导通时间更长、开关损耗更大。