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器件型号:UCC27211A-Q1 尊敬的先生/女士:
是否可以使用自举来驱动两个相似的 HS FET?
栅极电荷 现在是2倍。
下面的计算是否正确?
栅极电容、C =(栅 极电荷 x 2)/(VDD - Vboot 二极管)
自举电容 > 10 x 栅极电容?
如果我错了、请纠正我的问题。
谢谢。
Wilson
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尊敬的先生/女士:
是否可以使用自举来驱动两个相似的 HS FET?
栅极电荷 现在是2倍。
下面的计算是否正确?
栅极电容、C =(栅 极电荷 x 2)/(VDD - Vboot 二极管)
自举电容 > 10 x 栅极电容?
如果我错了、请纠正我的问题。
谢谢。
Wilson
您好 Wilson、
感谢您关注 UCC27211A-Q1。 是的、可以使用高侧栅极驱动器驱动两个 MOSFET。 最好在驱动器输出的每个 MOSFET 栅极上使用单独的栅极电阻器。 有效栅极电容将如您所示、2x Qg (VDD - VF (自举二极管)。 自举电容= 10x 栅极电容是引导电容值的良好指导原则。
确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、