This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27423:使用功率 FET 驱动 RGB LED 阵列#39;s

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27423, LM5163, LM317
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1171961/ucc27423-driving-rgb-led-array-with-power-fet-s

器件型号:UCC27423
主题中讨论的其他器件: LM5163LM317

您好!

我正在设计 RGB 阵列控制、我有几个问题。

该阵列由一组串联和并联的 LED 条组成。 电源是一个直流40V 电源组。 阵列的最大尺寸要求每种颜色在40V 时电流约为4A。  我需要使用 TI 微控制器的 PWM 驱动3个彩色阵列。 我最初 的想法是使用3个可以处理4A 的 MOSFET。 我将在 微控制器和 FET 之间放置栅极驱动器、例如 UCC27423。 然而、UCC27423上的最大电压为16V。

在查看 LED 驱动器时,我发现许多是高侧控制器? 我宁愿使用 LED 的低侧开关、除非有某种原因不应该这样做。 此外、我不想添加一组 IC 来开发不同的直流电压。 到目前为止、我仅拥有40V 直流电源和一个降压转换器(LM5163)、用于微型3.3V。 您能否建议在功率 MOSFTEs 和微控制器之间使用什么? 此外、如果某些器件在同一封装中具有驱动器和功率 FET、则只要成本与单独器件相似、这种情况就很好。

谢谢、

Jerry

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jerry、

    据我所知、功率 FET 的低侧驱动似乎合理。 根据我们的栅极驱动器工作原理、VDD 电压是 FET 栅极驱动的电压、因此大多数电压大约为12V - 26V、但有一些例外。 通常、功率 NMOS 的绝对最大 Vgs 电压为+-20V、因此40V 可能会断开 FET。 我认为系统中需要在某个位置生成10-20V 电压轨。

    以下是一些想法。 首先、您可以获得一个便宜的可调节 LDO、例如用于12V 电压轨的 LM317、并且几乎可以使用任何低侧栅极驱动器。 我们还提供了一些包含 LDO 的栅极驱动器。 TPS2819 似乎是一个不错的选择。  我是栅极驱动器团队的成员、这些是我的专长、但下面是包含 FET 的其他一些选项、如您所问:

    首先、这些似乎可以在 https://www.ti.com/power-management/power-switches/low-side-switches/products.html 上工作

    我们还有包含 FET 的电机驱动器、但它们更侧重于半桥。  

    最后、您刚才提到的 LED 驱动器似乎是一个不错的选择。 我不能完全确定高侧为何常用于这些应用、但我认为它与故障条件有关。 有些看起来是低侧的。  

    如果您有任何疑问、请告诉我。  

    谢谢、

    Alex M.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Alex、

    非常感谢!

      TPS2819 看起来非常好。 我将更仔细地查看它和您提供的其他信息

    Jerry