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器件型号：TPS54561 您好 TI
根据 TPS54561 Rev.G 数据表的8.2.1.2.12功率耗散估算、 可计算内部高侧 MOSFET 开关损耗
P = Vin * Fsw * Iout * Trise = 12V * 400kHz * 5A * 4.9ns = 0.118W
但从该 ROHM 应用手册中可以看到
同步整流降压和 非同步整流降压的内部高侧 MOSFET 开关损耗的计算应与 eq5相同(包括噪声和电压降)。
您认为这种差异是什么？ 谢谢。
