大家好、
我目前正在使用 GaN 器件和 LMG1205研发1kW 的 BLDC 驱动器、而在这方面、我遇到了某些问题、希望您能帮我解决这个问题。
输入电压即 Vd=12v、Vdd =5V、单相570欧姆上的负载电阻、输入频率10kHz @50%占空比。正如预期的那样、HOH/HOL 也应以相同的输入频率导通和关闭、但 GATE (HOH/HOL)在只有38%时才会关闭、为什么？ (供您参考，我在下面附上了波形)。
LMG1205在低于10kHz 频率时也会出现意外结果？下图中的振铃为占空比的50%、即静息半部分始终较低。
供参考的自举电容为0.1uf。
谢谢、此致。
嗨、Jeff、
感谢您深入了解这一点、
下面随附了我们正在研究的原理图。
e2e.ti.com/.../DRIVER_5F00_1.0.pdf
对于 P1、蓝色波形是 HI 的输入、它实际上是5V、但放大了10倍、并且 LI 引脚也接地/VSS。
抱歉，实际上我忘记了贴附门脉冲的图像，但这里是。(黄色-> HS &蓝色-> HO /门在高侧)测量时，LO 始终为0v。
是的、我们已经确保 VDD 电源始终为5V、并且 HB-HS 电容器的电压大约为4V、我想这已经足够正确了。
我完全同意您的观点，当我们谈论 GaN 器件时，频率相当低，因为它的性能要高得多，但目前我们正处于测试阶段，所以我们决定以较低的频率检查，然后再进行较高的频率检查。此外，我们正在研究 BLDC 这是一个三相 BLDC 驱动器。
希望，这会有所帮助。
谢谢、此致
Rahul
嗨，Jeff，
你说，如果我错了，就纠正我
" 在这种低频操作中、HB-HS 电容器似乎没有保持充电状态、通常在低频开关时、需要使用浮动电源来保持 HB-HS 电容器充电。 如果低侧 FET 在 HO 超时期间将开关节点拉至接地、HB-HS 电容器可通过内部1205自举二极管进行充电。 但是、如果没有 LO 信号将开关节点接地以对自举进行充电、则可能的情况是驱动器达到 UVLO、并且负载 RC 将开关节点放电。"
但是、不要考虑输出、即 HS 通过570欧姆电阻接地、然后在任何时间段(即使在 HO 超时情况下)、那么 HS 如何在任何情况下浮动。
给我一天时间 、与 HO、LO、HS 和 HB - HS 一起获得示波器射门。
下面是我们布局的一个相位的图像。
是的，这种变化随着负载的增加，电压下降。
目前、我们运行 BLDC 电机的目标是20kHz、我们希望逐渐将其增加到100kHz。
谢谢、此致
Rahul
嗨、Jeff、
根据您的建议、我们在10欧姆负载下进行了新的测试 、这次我们还将漏源电压降低至5V。
我想这次我们开始得到50%占空比的输出栅极、但 仍然存在各种疑问。下图如下所示：-
当频率为11kHz 且 Rload 为10欧姆时，HS->VSS 以及 HS->VSS 图解。
当频率为12kHz 且 Rload 为10欧姆时，HS->VSS 以及 HS->VSS 图解。
当频率为13kHz 且 Rload 为10欧姆时，HS->VSS 以及 HS->VSS 图解
当频率为14kHz 且 Rload 为10欧姆时，HS->VSS 以及 HS->VSS 图解。
我们没有得到这种行为，因为与充电的脉冲振相比，电容器充电也很低，那么为什么它放电，而且一旦它放电，它在 b/w 脉冲中充电，这不是完全的，如果你能帮助的话 在这里，它将会很棒。
此外，关于您对布局的建议：-
关于栅极电阻器，我理解了它，并将减小它。
关于 HS 连接、这只是顶层、您可以看到、底层完全保持平坦、因此仅保留过孔盖上的过孔。
3.关于通孔，当我们完成所有测试时，这些只是临时测试用途的引脚，但如果您可以建议改进，我们肯定会喜欢这样做。
谢谢、此致
Rahul
您好、Rahul、
HS 上的任何额外负载都会在 HO 导通期间以 RC 时间常数为基准耗尽 HB-HS 电容器。 当 HO 打开时、它会为 HO 栅极充电、但是由于 HS 上有负载、HB-HS 电容器会漏电到接地。 所需的电容大小取决于此泄漏量以及泄漏期间发生的占空比。 HO 导通期间、从自举电容器中移除了多少额外电荷？ 由于 Q=C*V、因此抵消漏电所需的最小额外电容为 Q/5V。
查看以下应用手册、了解有关此自举电容计算的帮助信息。 如果您对此有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
