请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:LMG1020 大家好、
我的客户正在考虑将 LMG1020用于 GaN FETdrive。
客户希望使用3.3V MCU 控制 LMG1020。 在这种情况下、客户担心反向电流会通过内部上拉电阻器从 VDD (5V)流向 IN。 因此、客户希望始终保持输入到低电平(GND)、并且希望通过向 IN+输入3.3V 脉冲来驱动 GaN FET。 这种用法是否可以接受?
根据 LMG1020EVM、IN-引脚被下拉至 GND。 因此、我认为客户认为可以使用客户认为的用法。
此致、
山口

