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您好！
我知道、BQ25970>BQ25910>BQ25890H 的效率、为什么会出现该等式？
您能否解释电荷泵、三级降压和两级降压之间的导通损耗以及开关损耗和总损耗差异？ 您是否有任何文档用于此说明？
英里、您好、
首先、我建议在此处阅读 ADJ 文章 ：http://www.ti.com/lit/an/slyt769/slyt769.pdf 和/或在 https://training.ti.com/node/1139543观看有关每个拓扑的培训视频。
有一些关于这个主题的博士论文、但我将在这里总结：
BQ25970是一款直接/闪存充电器。 闪光灯充电器在 VBUS 和 VBAT 之间采用两个短路 FET 来实现充电。 在没有开关电容器转换 器的直接充电器中、智能输入适配器将 VBUS 上的电压设置得刚好足够高、从而使 IBUS=ICHRG=(VBUS-VBAT)/Rdson 能够以最小的 FET 损耗为电池充电。 该充电器 具有一个 ADC、可 持续向 智能适配器提供 VBAT 信息。 BQ25970 的开关电容转换器是一款非稳压开关转换器、可将输入电流翻倍并将输入电压减半。 因此、BQ25970需要一个可调节至电池电压两倍的智能适配器。 由于 IBAT 现在 是 IBUS 的两倍、得益于 SC 转换器、适配器到充电器的损耗要小得多。 充电器中的唯一损耗元件是 FET 的 Rdson
BQ25910使用3级转换器。 在 典型的仅电感器降压转换器中添加飞跨电容器 CFLY、三级 可将开关 FET 上的电压应力降低一半、使有效开关频率加倍、电感器具有四分之一的峰值纹波电流。 这会导致功率 FET 上的损耗更少。 这些增益可转化为高效率和高功率密度、这在降压转换器设计中通常是相互矛盾的。 典型降压转换器(如 BQ25890H)的开关节点 始终从 VBUS 切换到 GND。 在三级架构中、假设 CFLY 在 VBUS/2上保持平衡、开关节点会根据转换比从 VBUS 交替变为 VBUS/2或从 VBUS/2变为 GND。 这会导致对电感的要求更小。 值较小 的电感器具有较低的 DCR 值和相关 损耗、因此可提高效率。
此致、
Jeff
非常感谢！
