您好：团队
关于 BQ24780S 的数据表、我有一些问题需要帮助。
在充电电流调节中、精度仅在以下情况下与充电电压相关、而在其他情况下仅与电流相关。为什么会发生这种情况？ (P6)
下图中泄漏失配的含义是什么？ (P6)
在 Regn 稳压器中、为什么其中一个测试条件是 V (regn)=0V、 当电压=0时、电流限制的要点是什么？ (P8)
充电模式和非充电模式之间为什么 REGN 电流限制不同？ (P8)
5mΩ 电阻为 10mΩ Ω、 20mΩ Ω、Ω 时、PMON 增益是多少？ (P27)
6.下图中 V=7V 的含义。(P10)
7.为什么效率不随电压的增加而提高？
谢谢！
爱丽丝
您好 Joel：
感谢您的回答。 我仍然对你的答案有疑问。
1)对于1)充电器处于轻负载状态、当电流纹波含量较低时、这会变得更加困难。 在这些条件下、纹波较低。
如图所示、仅当电流为256mA 时、精度取决于电压、这意味着当电流为512/192mA 时精度与电压无关。 为什么256mA 与其他器件不同。
5)对于5)、唯一有效值为20/10、10/20或20/20。 其他值不考虑在内。
我们必须使用5m Ω/10m Ω 的感应电阻器来实现230W 功率、因此我们必须获得 POMN 增益。 那么、如果方便、您能给我带来价值吗？ 非常感谢。
6)这是单独向这些引脚施加电压时的泄漏电流。
为什么在测试条件下、当工作电压为6.5v 时电压为7V？
7.为什么效率不随电压的增加而提高？ 电压的最大效率为11.1V、而不是14.8/7.4V。
谢谢！
爱丽丝
爱丽丝、您好！
1) 256mA 是一个转换点。 您可以看到、较高电流512mA 设置的精度为+/-10%、这优于所有256mA 情况(+/-16%或20%)。 另一方面、较低的192mA 电流设置的精度与256mA 设置的+/-20%较低电压设置类似。 因此、您可以推断、在所有电压下、192mA 及更低电流情况下的精度与256mA 的4.2V 相似或更差。 所有这些仍然是由反馈信号的幅度(VRSR)造成的。
5)对于 PMON 增益、您可以使用其中一个值：0.5uA/W 设置或2uA/W 设置、因为 RAC 和 RSR 的偏差为2倍。 请注意、PMON 引脚电压被钳位在3.3V、因此230W 不会在 PMON 上产生高于3.3V 的值。
6)该测试条件基于这些引脚的绝对最大额定电压、而不是建议的工作电压。
7)我必须进一步研究这一点、但我敢说、这与开关损耗增加有关。 在大多数情况下、我不认为导通损耗更高、但开关损耗和反向恢复损耗会增加。 请记住、这是一个控制器、因此您的效率将根据您选择的 MOSFET 和电感器而变化。 此效率数据是在 EVM 上收集的。
3)对于3)、数据表中未指定该值、但您可以推断@ 6V、该电压将类似于0V 测试条件。
对于8.1-2)、请参阅下图：
8.3)这可能是电流突然尖峰、并不一定假设转换器持续提供的电流超过峰值电流。 一般而言、MOSFET 可以在远高于其连续电流额定值的电流下处理脉冲电流。
8.4)在降压模式下、在90秒内发生7次此事件后、ACFET/RBFET 将被锁存。 但是、在升压模式下、这不会锁存输入 FET。 此充电器上的升压模式纯粹是负载的补充电流。
此致、
Joel H
您好 Joel：
5)对于 PMON 增益、您可以使用其中一个值：0.5uA/W 设置或2uA/W 设置( 5m Ω/10m Ω 检测电阻)
我发现 Liangyu_Ge@asus.com 在9月份询问了同样的电阻5/5问题、下图是答案。如果我在使用5m Ω/10m Ω 时参考以下答案、增益是否应为0.25uA/W 或1uA/W？
7)我必须进一步研究这一点、但我敢说、这与开关损耗增加有关
请不要 忘记这个问题。 顺便说一下、 即使 这与增加的开关损耗相关、电压的最大效率是否应为11.1V？
期待您的回复。谢谢！
爱丽丝
