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器件型号：LMG1205 您好！
在我们的应用中、我们使用 LMG1205驱动包含两个 EPC2053 GaN-FET 的半桥。
我们的最小开关频率为20kHz、最大占空比接近100%(电机驱动应用)。
在 FET 的数据表中、最大栅源漏电流为9mA (！) 计算。
这对计算所需的自举电容有重大影响！
数据表(第8.2.2.2章)中的公式为何不考虑栅源极泄漏？
使用您的公式、我得到一个关于的值：
QG、max = 14.8nC
IHB = 0.12mA
tON = 45µs Ω(90%占空比)
QRR = 4nC
dV = 0.2V
CBST >(14.8nC+0.12mA* 45µs +4nC)/0.2V = 121nF
将9mA 的 GS 泄漏电流考虑在内时、该值会明显更高！
CBST >(14.8nC+9.12mA* 45µs +4nC)/0.2V = 2.146µF μ F
是否可以更新您的表板以避免计算错误？
-->正常硅 MOSFET 的 GS 泄漏值要低得多，因此只有在使用 GaN FET 时才会产生这种影响。
此致
Thomas
