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[参考译文] TPS3808G01Q1EVM：如何降低 SENSE 引脚的泄漏电流。

admin
Guru**** 1687510 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/866650/tps3808g01q1evm-how-to-reduce-leakage-current-at-sense-pin

器件型号：TPS3808G01Q1EVM

您好！

 MΩ 我 kΩ R1=1.3 μ F 和 R2=100 μ F、Vin=12V、则电容器变为0.1uF、此组件为 TPS3808G01QDBVR-Q1。

它会产生任何副作用吗？  或者另一种解决方案可以减小 SENSE 引脚上的泄漏电流？

我必须保持 R1/R2=13且 Vit=5.67V  

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    TI__Guru**** 1687510 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好  

    1nF 电容器将减慢感应速度、因为时间常数将为100k * 1n = 100us。 它可能会将响应延迟超过2.2*的时间常数 。  

    如果您不使用任何去耦电容器、则没有任何危害、因为 TPS3808G01的 I_SENSE 非常小、并且不会加载您的源。  

    因此、您可以使用更高的电阻值来降低 VIN 源的功率、但在这种情况下不使用电容器。   

    此致

    Trailokya