[参考译文] BQ24725A：ACFET 和 BATFET 的 CGD 和 CGS 电容器

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/865096/bq24725a-cgd-and-cgs-cap-for-acfet-and-batfet

器件型号：BQ24725A

大家好、

我收到了客户关于 ACFET 和 BATFET 的 CGD 和 CGS 的问题。

1.d/s 在8.4.3系统电源选择一节中指出"CGS 值应是 CGD 的20倍或更高"。您能否告诉我为什么 CGS 值应该是 CGD 的20倍或更高？是为了防止自启动？

为了限制 ACFET 导通时的适配器浪涌电流、必须仔细选择 ACFET 的 CGS 和 CGD 外部电容器。 CGS 和 CGD 电容越大、ACFET 的导通速度越慢、适配器的浪涌电流也越小。但是、如果 CGS 或 CGD 过大、则在20ms 导通时间窗口过期后、ACDRV-CMSRC 电压可能仍会变为低电平。为了确保在热插拔适配器时不会打开 ACFET、CGS 值应是 CGD 的20倍或更高。降低适配器浪涌电流的最经济高效的方法是最大限度地减小系统总电容。

2.从 d/s 中的图18中、CGS (C16)和 CGD (C17)连接到 ACFET、但只有 CGS (C15)连接到 BATFET。您能否告诉我为何 CGD 未连接到 BATFET？

此致、

山口

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

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山口-山口、您好！

1.是的、您提供的摘录说明了 CGS > 20xCgd 的用途。热插拔电源可能会瞬时上拉 ACFET 的栅极、从而使其部分或完全导通。

[引用用户="Takashi Yamaguchi "]为了确保在适配器热插拔时 ACFET 不会打开，CGS 值应是 CGD 的20倍或更高

在 BATFET 上、我们只尝试添加 CGS 以实现接通/关断延迟、这样 BATFET 和输入保护 FET 不会同时导通。

此致、
Joel H

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

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Joel－San，您好！

感谢您的回答。

我想了解有关问题2的更多详细信息。

如果添加栅极电容来调整 FET 导通/关断时间、我认为连接 CGS 就足够了。为什么 CGD 连接到 ACFET？

此致、

山口

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

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山口-山口、您好！

我认为该电容器有助于防止栅极在输入端发生高 dV/dt 事件时轻松上拉。

虽然 CGS > 20xCgd 的要求应该足够、但可以建议添加额外的 CGD 电容以进一步缓解这种影响。

此致、

Joel H

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