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器件型号：TPS40210 主题中讨论的其他器件：PMP30104
尊敬的所有人：
参考设计 PMP30104中提供了一个多倍 SEPIC 电容器充电器。 它将15V 输入升压至420V/80mA 输出。 我需要一些变化(更高的输入电压、更高的输出电压)、并且需要一些建议、例如如何选择具有不同参数的组件。 由于具有较高电压的组件变得越来越大、更昂贵且难以采购、因此我想提供一些提示、以说明它们仍然有一定的裕度、但不会使器件过大。
MOSFET Q2：根据测试结果(
)、MOSFET 的最大值为95V。 TI 在此职位上选择了150V MOSFET、安全裕度约为50%。 如果要使用30V 输入电压重新设计、该 MOSFET 应该是300V 类型？ 250V 类型也可以吗？
CM1-Cm5、CM7-Cm11：猜测这些电容器上的电压将是60-70V。 μF 选择2.2k Ω、100V 类型、X7R。 50%安全裕度。
DM1-Dm6：我认为肖特基二极管上的电压与电容器 CMX 上的电压相同、但 TI 选择的肖特基二极管是150V 类型。 当输入和输出电压加倍时、200V 肖特基二极管是否太弱？ 300V 肖特基二极管很难拉电流、那么是否可以改用超快整流二极管(75ns)？
TI 拥有一款出色的软件、称为 Power Stage Designer。 遗憾的是、它不支持乘以 SEPIC 拓扑。 如果此软件的未来版本支持此拓扑、那将会很好。
感谢您的提示、
Michael
