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[参考译文] LM5141:VCC 处的0V 是否表示芯片损坏?

Guru**** 1285770 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A, CSD18563Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/815367/lm5141-does-0-v-at-vcc-indicate-a-damaged-chip

器件型号:LM5141
主题中讨论的其他器件:CSD19534Q5ACSD18563Q5A

根据 WebBench 提供的设计建议、我已经制作了以下电路:

自原理图打印以来、已进行了一些更改:

*将开关 FET 更改为 CSD18563

我有2个此电路的样本。 一个按预期工作、另一个按预期工作、不产生输出电压。

* VIN 处存在24V 电压(VCC48标签并不意味着需要48V 电压)

EN 上存在3.3V 电压

*在 FET 栅极上看不到开关活动。  

*在 SS 处未看到电压

但是、让我认为芯片可能损坏的原因是 VCC 引脚上的电压为0V。

在芯片内部连接到这个引脚的内容没有太多细节。 但我怀疑它只是一个线性稳压器。 如果芯片正常运行、我看不到任何会在 VCC 产生0V 电压的情况。 VCCx 接地短路、如原理图所示。

那么、我能否以 VCC 处的0V 作为芯片损坏并需要更换的指示? 是否有任何工作条件需要在 VCC 上产生0V 电压?

(我之前曾发布过另 一个有关 同一设计的问题、但这是另一个问题。 在这种情况下、我始终看到 VCC 为5V。

谢谢、

Matt

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Matt、

    通常、如果 EN 电压较高且 VIN 为高电平、则也应出现 VCC。

    下面是对原理图的一些注释:

    1. 您已更改为 CSD18563Q5A 60V NexFET。 CSD19534Q5A 100V FET 的栅极电压米勒平坦区对于5V 栅极驱动振幅而言过高。 我们需要额定 Vgs = 4.5V 的 RDS (on)。
    2. 添加更多1uF 陶瓷输入电容器(47uF 输入电解电容器可能不会对开关频率电流提供太多的滤波)。 IC VIN 引脚的 C20本地去耦电容可以是0.1uF/0805。
    3. 使用新的快速启动文件(可从产品文件夹下载)检查补偿。 C97 22nF 似乎很高、并将导致缓慢的瞬态响应稳定时间。
    4. 将自举二极管 D8更改为60V/0.2A 肖特 基二极管。 目前指定的100V/1A SMB 封装二极管 看起来 非常大。
    5. 您可能不需要低侧 FET 上的栅极电阻器、尤其是 R57、它会减慢 M7的导通速度、迫使体二极管导通更长时间并增加传导损耗。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    谢谢。  

    经过进一步调查后、我看到 VCC 引脚接地短路的迹象。 您是否知道是否有任何保护电路可防止 VCC 稳压器的输出短路而损坏?

    此致、

    Matt