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器件型号：LM5085 大家好、团队、
我的客户开始使用 LM5085的 EVM。
遗憾的是、我们发现仿真器所说的内容与要应用的公式之间存在差异、您能帮我们解决这个问题吗？
建议从 SW/工具中进行以下捕捉：
而以下内容与 EVM 上安装的内容是相同的、如建议：
在软件中、我对选择 D1有严重疑问：
'二极管的额定电压必须为最大输入电压和最坏情况下的电流限制电平"
尽管 Rsns 增加以减少剪刀、但电流限制为3.4A-5.8A、因此产生6A 80V 的脉冲。
'二极管的额定电压必须为最大输入电压和最坏情况下的电流限制电平"
尽管 Rsns 增加以减少剪刀、但电流限制为3.4A-5.8A、因此产生6A 80V 的脉冲。
考虑到为了不受拓扑和电容器数量的限制、并且能够将它们分布在电路板上、例如、需要使用 RR、Cr 和 CAC 进行布局、以便为 IC 的运行生成最小纹波。
仿真器与数据表中所述的完全不同、例如：
仿真器与数据表中所述的完全不同、例如：
"C2 (CAC)随后选择较大、而 C1通常为0.1µF μ F。 "
不清楚如何使用数据表公式计算3个分量、例如：
它没有考虑我们在 Vin 条件下使用它的方式、甚至低于标称值。
以下是 EVM 的 MOD：
R5 20mR
R3 2.4k
R4 390k
R2 549R
L1 33uH 饱和电流> 5.8A
R7 26.7k
C9 3.3nF
C10 33nF
C6 C7 generici 100uF 105°50V 低 ESR
您能帮助我们澄清这种情况吗？
提前感谢您的支持。
此致、
Adrian
