[参考译文] bq24600：BQ24600的温度过高。

admin

Other Parts Discussed in Thread: BQ24600

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/851068/bq24600-the-temperature-of-the-bq24600-is-too-high

器件型号：bq24600

尊敬的 TI 团队：

我的客户设计了电池充电器。

规范如下：

电池：3节(13000mAh)

充电电压：12.6V

充电电流：2~4A

我们通过设置2A 充电电流进行了测试。 BQ24600和高侧 FET 的温度过高。 (IC 表面温度：90~110°C)

由于 BQ24600的温度问题、E2E 上有很多问题。是否有 BQ24600自身缺陷？

2.我已附上设计电路和 PCB 文件。请告诉我们如何改进它。

谢谢。

e2e.ti.com/.../0724.AMOSENSE_5F00_P_5F00_RX_5F00_Charge_5F00_Rev2.0.pdfe2e.ti.com/.../P_5F00_RX_5F00_Rev2.0_2800_Cad-file_2900_.zipe2e.ti.com/.../P_5F00_RX_5F00_Rev2.0_5F00_gerber.zip

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Downey、

BQ24600是一款充电器控制器、可为降压稳压器的两个 FET 提供1.2MHz 栅极驱动器。热量来自驱动器电路的功率损耗。损耗与 FET 的开关频率和栅极充电器成正比。这不是设备的缺陷、任何驱动程序都会丢失。应为 FET 和充电器设计足够的铜面积、以散发由损耗产生的热量。您还可以检查充电器的开关节点、并与数据表中的图14进行比较、以确保 FET 已在合理的导通和关断时间内正确驱动。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Eric：

感谢您的建议。

我认为开关线路的设计足够厚。

您认为设计的电路没有问题吗？

谢谢。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2535750 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Downey、

是的、看起来 PH 节点的设计厚度足够大。请记住、由于 BQ24600具有1.2MHz 开关频率、这会增加开关损耗(开关损耗与开关频率成正比)。需要注意的一点是、您为 Q1和 Q2选择了 MOSFET。您使用的是 NTD6414ANT4G、这是一个额定电压为100V 32A 的 MOSFET、对于2A-4A 充电应用和不会超过输入电压的输入电压(Q1的 VDS)而言、这是一种超限的方法。使用具有高 Qg (栅极电荷)的大波 efy FET 将导致 MOSFET 驱动器损耗增加：

MOSFET 栅极驱动器功率损耗会导致降压转换器开关时控制器 IC 上的主要损耗。选择具有较小 Qg_total 的 MOSFET 可大幅降低 IC 功率损耗、从而避免热关断。请参阅数据表中的 eq 22。

其余的布局看起来不错。

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] bq24600：BQ24600的温度过高。