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[参考译文] LM5051：如何在 MOSFET 并联应用中将 Vgs 电压从4V 优化到更高

admin
Guru**** 2583485 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/850522/lm5051-how-to-optimize-the-vgs-voltage-from-4v-to-higher-in-mosfet-paralleling-application

器件型号：LM5051

您好、支持团队  

为了提高 PSU 的效率、并联 ORing FET 以降低 RDS_ON 至关重要、

这是一个肯定会打开的设计、但 Vgs 电压未得到优化。 我尝试使 PSU 以满负载运行、但 Vgs 只有4V。 原因是 RDS_ON 太小
RDS_ON 的曲线会在 Vgs 增大时直接上升、是否有任何方法可以使 Vgs 在外部电路增大、即使 RDO_ON 较低？
或者有什么方法可以将 VSD (REG)调节 VINP/VSS 降至 VINN 阈值(典型值为12mV)、以使 Vgs 增大？

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    TI__Guru**** 2583485 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Yen、

    是的、可以完成。

    您能否分享使用的 MOSFET 和电流额定值。

    此致、

    Kari。

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    TI__Guru**** 2583485 points
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    您好、Kari、  

    额定电流最大为25A、MOSFET 为 BSC040N10NS5 * 4  

    D/S https://datasheet.octopart.com/BSC040N10NS5ATMA1-Infineon-datasheet-58757594.pdf

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    TI__Guru**** 2583485 points
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    您好、Kari、  

    请允许我通过 E2E 论坛或电子邮件向您提供友好的反馈  

    任何输入都应该有用  

    非常感谢  

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    TI__Guru**** 2583485 points
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    您好、红色、

     

    MOSFET Rdson 为4m Ω、4个并联、总 Rdson 为1m Ω。

    12A 时、源漏电压为12mV (稳压)、Vgs 将接近6V 或4.5V。

     

    在14A 时、源漏极电压为12mV (稳压)、但 RDSon = 3.4m Ω、Vgs 为10V。

    当电流超过此值时，不能进行12MV 调节，源漏电压将为 I*Rdson。

     

    满负载25A 时、Vgs 应大于10V。 您能否共享原理图以查看电路上是否存在任何其他压降？

     此致、

    Kari。

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    TI__Guru**** 2583485 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、红色、

    如果您对此有其他疑问、请告诉我、否则如果您的问题得到解答、请单击主题结尾的"这解决了我的问题"按钮。

    此致、

    Kari。