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[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM25141:使用 CSD86356Q5D 对 LM25141进行仿真

Guru**** 1807890 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25141, CSD86356Q5D, CSD87355Q5D
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/812250/webench-tools-lm25141-simulate-lm25141-with-csd86356q5d

器件型号:LM25141
主题中讨论的其他器件: CSD86356Q5DCSD87355Q5D

工具/软件:WEBENCHRegistered设计工具

你好

可以在 WebBench 中结合使用 CSD86356Q5D MOSFET 阵列来仿真 LM25141?

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    您好、 Stephan、

    请您使用"设计"选项共享 WEBENCH 设计。

    谢谢、此致、

    普拉文 B

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    webench.ti.com/.../SDP.cgi

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    您好、 Stephan、

    感谢您分享设计。我们将深入研究。我们将在此再次与您讨论。

    谢谢、此致、

    普拉文 B

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    您好、Stephan、

    对于上述条件(共享设计)、不应选择 MOSFET CSD86356Q5D、因为 FET 的 VDS 为25V、输入电压(30V)超过 VDS 限值。

    如果 Vin 减小到 Vds 限制(Vin+Margini <VDS) MOSFET "CSD86356Q5D" should work with quantity one (for both high side and low side). )范围内  但由于功率损耗、价格和面积相对较高、这些 FET 在 Webench 上的排名较低。 由于我们在 Webench 上展示的备用 FET 数量受到限制、因此您将无法在列表中找到这些 FET。 请从列表中选择备用 FET 进行仿真。

    谢谢、此致、
    普拉文 B

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    您好 Praveen


    感谢您的反馈。 我忽略了最大电压、现在我选择了 CSD87355Q5D、

    输入电压标称值为24V、电压高达30V、我运行了一个输入范围为20-28V 的新仿真

    实际上、器件在面积方面必须更好(两个 FET 位于一个外壳中)、并且功率耗散应该更好

    也比列表中建议的 FET (RDS 4mR/1.5mR)要好得多。

    由于我的空间很小、因此最好将两个 FET 放在一个外壳中。

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    您好、Stephan、

    您可以 在两个外壳中使用 CSD87355Q5D FET、器件的最大工作频率限制为550KHz。

    谢谢、此致、

    普拉文 B