• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 14 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 1034 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS65295：TPS65295

admin
Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65295
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1166430/tps65295-tps65295

器件型号：TPS65295

您好：

我 将  TPS65295 IC 用于我们的 DDR4电源解决方案。

我想改变 VDDQ 电源的+/-3%(1.2V +/-3%) 来表征 DDR4控制器在转角电压情况下的性能。

是否有办法将其更改为超过1.2V 的典型限值？

此致
Shamanth

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我想  在 VDDQ 输出路径中使用上述概念。                                                                                                 VDDQSNS 通过电阻 R 连接到 VDDQ 轨 ，电流源(DAC)连接到电阻的另一端 。 在 闭环情况下、VDDQSENS 电压始终保持在1.2V、但输出电压 VDDQ 根据电流和电阻的组合而变化

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    但它不适用于 TPS65295 Spice 模型  

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shetty

    可以通过在 VDDQ 引脚和 VDDQSNS 引脚之间添加一个电阻器(R1)来增大 VDDQ 的电压。  根据数据表、VDDQSNS 输入电流为40uA、VDDQSNS 输入电流的变化为-17%、+20%。  VDDQ =1.2+R1*40uA。

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    张您好：谢谢您提供的信息

    我有 PSpice 仿真、并附上原理图和结果

    借助此原理图配置、VDDQ 电压增加至1.298V (98mV 以上1.2V)

    VTT 和 VTTREF = VDDQ/2 -->~649mV

    但根据数据表、VTT 和 VTTREF = VDDQSense/2  

    请澄清？？

    谢谢、此致

    Shamanth

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shamanth、

     如所示的数据表7.1概览所示、VTTREF 跟踪 VDDQ/2、VTT 跟踪 VTTREF。  

    在 "电气特性"表中、 VTTREF = VDDQSense/2、这适用于以下典型应用。

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好：根据上面共享的模拟，它正在跟踪 VDDQ。 但我们已对其中的 EVK 进行测试、并在实验室中进行了测试。 VTT 和 VTTREF 遵循 VDDQSENS

    请澄清- SPICE 模型是否有任何问题  

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好：我尝试了解 VTTREF 正在跟踪 VDDQSENSE 或 VDDQ。 请澄清？ 实验中的测量结果和仿真结果 PSpice 提供了不同的结果。  

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好：  

    请参阅我的原理图

    •      添加了1k Ω 电阻器 b/w VDDQ 和 VDDQSNS
    •      从 VDDQSNS 施加到接地端的电流源

    PSpice 仿真：  

        VTTREF 和 VTT 正在跟踪1/2*VDDQ

    使用   TPS65295 EVK 进行实验室测量、原理图更改与 PSpice 仿真设置中所述相同

        VTTREF 和 VTT 正在跟踪1/2*VDDQSNS

    无法确定为什么 b/w 实验室测量值与 PSpice 仿真结果存在差异？                 结果也是正确的

    谢谢、

    Shamanth

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Shamanth

    请参阅数据表的7.2功能方框图、VTTREF 正跟踪 VDDQSENSE。 为什么要添加 I1？   您可以移除 I1并重试。

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    张您好：添加了电流源 I1以改变 VDDQ 电压(1.2V +/- 10%)。 我能够在仿真和实验室测量中找到预期结果。 但实验室测量和仿真结果与 VTTREF 和 VTT 不匹配

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Shamanth、

    当您的实验结果出来时、我们也有点困惑。 我们将前往实验室重复此问题、并与设计团队讨论此问题、以了解出现了什么问题。   

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的。  谢谢。 正在等待您的回复

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shamanth、

    由于疫情的影响、我们现在无法回复您。 如果有结论、我们将尽快答复您。

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Shamanth

    我已确认 VTTREF 正在跟踪 VDDQSENSE、您的实验室结果正确。 我不确定 PSpice 是否有一些错误。 例如，我们都知道，在大多数典型应用中，VDDQ=VDDQSNS 默认情况下，无论 VTTREF =1/2*VDDQ 出现错误的内部设置，建议 先删除 I1，然后再次检查 VTTREF 是否仍然等于1/2*VDDQ， 因为我不确定 I1的电流是否会影响 VDDQSNS。