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[参考译文] TPS23756：请帮助查找我的 POE 存在的问题

admin
Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23756, TPS23756EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/811015/tps23756-please-help-to-find-the-problem-for-my-poe

器件型号：TPS23756

您好！

我使用 TPS23756 (器件型号 TPS23756PWPR、DigiKey 器件型号296-39368-1-ND)创建了 POE 项目。

此设计与文档 SLVU329A 相似 's guide="" tps23756evm.pdf="">第4页、图1。 我不使用适配器、因此我移除了图2中的适配器块。 根据这一变化、我浮动了 T2P、将 APD 通过1K 电阻器连接到 ARTN、将 PPD 通过1K 电阻器连接到 VSS。  
原理图作为插入的.pdf 文件。 's>

问题现在：

1、这是 PCB 的第一次尝试，我始终可以通过以太网电缆从电源获取50V 电压，它是稳定的--这表示握手是正确的。

但主变压器后面没有输出。 我检查了 VB/CTL、两者都是0V、GATE / GAT2没有信号输出；这与 EVM 板不同。

2、我猜可能 POE 芯片已损坏(VB 到 ARTN 之间的电阻值约为470欧姆)、然后我将其替换为另一个(电阻值随后与 EVM 相同)。 使用新的 TPS23756芯片，电源通过以太网电缆提供的50V 变得不稳定--它大约每秒有50V，然后下降到0V；经过一段时间(3-5秒)，50V 再次出现，下降到0V。

两个 VB/CTL 都有一些电压变化(从0.6V 下降到0V、可能是由于50V 输入不稳定)。 两个 GATE /GAT2都没有输出(示波器未读取任何信号)。 可能是由于50V 的开/关、我可以在主变压器之后稳定地获得0.5V 电压。

我检查了焊接情况、很好。  请帮您找到问题、感谢您的帮助！

此致、

Kevin

e2e.ti.com/.../POE_5F00_TPS23756.pdf

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    尊敬的 Kevin：

    您是否尝试在输出端添加一些负载？

    原理图看起来正确、因此我将仔细检查电路板上的连接和元件是否正确。 如果它不是负载、则看起来直流/直流电流短路或过流、或者 VCC 轨崩溃。

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    感谢 Darwin、

    我将查看其他有关短路的部件。

    电路现在无负载。 检查完成后、我可以在输出端放置5W 的负载、请参阅。

    Bests、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    达尔文的美好一天

    我根据您的建议测试了电路(在初级变压器之后的器件)。 我所做的：

    向电路施加外部直流电源。 直流电源设置：+5V、电流限制为200mA。

    1) 1)移除 L2_POE 电感器、在整个电路的输出端子上施加+5V 直流电压(原理图中的5V 净电压)、电流消耗租赁大于6mA。

    2) 2)将 L2_POE 电感器放回、电流上升到限制200mA、压降达到~3.8V。

    3) 3)删除 Q5_POE (部件号： SI4894BDY-T1-E3)、Q2_POE (部件号： SI7852DP-T1-E3)电流消耗恢复为6mA。  

    电压：Q5_POE：VGS = 0.04V；Q2_POE：VGS = 4.6V。

    4) 4)开启新的 Q5_POE、Q2_POE、电流高达200mA、压降达~3.8V。 如果我将电源的电流限制增加到1A、电压仍然在3.8V~4.0V 左右、电流为1A。

    电压(200mA 时)： Q5_POE：VGS = 0.08V；Q2_POE：VGS = 2.67V。

    5) 5)替换 D10_POE、D11_POE (器件型号：BAS16LT1G)、Q3_POE (器件型号：MMBTA06LT1)和 D15_POE、D16_POE (器件型号：BZX84C12LT1G)、 仍为200mA/3.4V。

    6) 6) R2_POE、R4_POE 按应有的方式进行测试。 C14_POE、C16_POE 经测试为完好无损。

    比较：3秒后、EVM 可通过连接到 EVM 输出端子的同一电源在+5V 电压下保持稳定。

    EVM 电压：(Q4、与 Q5_POE 相同) Vgs = 1.92V/ (Q2、与 Q2_POE 相同) Vgs = 2.27V。  

    我的 Q2_POE/Q5_POE 可能处于意外情况。

    还有建议吗？

    此致、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好、达尔文、

    您是否知道为什么在 TPS23765 EVM 上使用 SIR606 (EVM 原理图上的 Q2、芯片上的印刷版本为 R606、因此我想它的 SIR606)而不是 SI7852DP (印刷版本为7852)？

    我从 EVM 上取出此芯片(SIR606)、将我购买的芯片(SI7852DP)放在 EVM 上、EVM 无法正常工作(与我的 PCB 相同)；

    我将 EVM 的原始 Q2放回 EVM、EVM 再次正常工作。

    请向我提供 EVM 使用的 BOM？

    Bests、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    很抱歉，我需要回拨先前的分析--前3个帖子。

    该问题在次级变压器后面找不到。 它确实位于初级变压器之前。

    我从次级变压器引脚上移除了焊盘连接、并将其悬空；

    我将+5V 直流电压焊接到焊盘上、以模拟变压器的输出、没有短路；电流为6mA、电压为5V。

    然后、我将 POE 以太网电缆连接到 PSE、但 PSE 的输出仍然不恒定。 50V 脉冲的电压表明我的 POE 电路板上没有短路。 万用表测试也证明了这一点。

    我将检查是否有任何其他问题。 它可能是损坏的芯片或错误的配置。  

    如果您能根据我的第一篇帖子和这篇帖子提供任何帮助、我将非常感激。

    此致、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、达尔文、

    芯片 TPS23756损坏。 ARTN/RTN 的引脚5栅极电阻约为500欧姆。 拆下芯片、测试 MOSFET、MOSFET 的 RGS 正确(开路)。

    在上面放置一个新的 TPS23756。 则 PSE 可以持续提供50V 电压。 但是、这次 TPS23756再次损坏。 栅极上的电阻器与 RTN 之间的阻值为140欧姆。

    VC (0.12V)、Vb (0V)、CTL (-0.12V、负)的输出错误；Vdd -VSS = 50V、但 Vdd-RTN=40V。  V_RTN - VSS = 10V。

    在我打开 PSE 之前，栅极至 RTN 之间的电阻与 EVM 一样正常(大约0.95M)。--在我打开 PSE 之前，我测试了所有引脚，我的板上的 RTN/VSS 电阻值与 EVM 相同。

    我觉得只要打开 PSE、芯片 TPS23756就会烧在电路板上。 还有建议吗？

    谢谢、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    从文档中可以看到、DEN 引脚应该为高电平(被24.9K 上拉至 Vdd)、但我的电路板 在 DEN - VSS 之间具有0V。 移除 PSE 并测量电阻器、DEN 至 VSS 为 M Ω 耦合电阻；上拉电阻器为24.9K。

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    尊敬的 Kevin：

    仅当 PSE 正在执行检测时、DE-VSS 才应为0V。 否则、在正常运行时、它应该上拉至 VDD。  

    请注意 、Si7852DP 可以正常使用、SIR 是 我们最初使用设计和测试的 Si7852DP 的唯一替代产品。

    RTN-VSS 电压听起来像是 PD 无法从浪涌中退出。 直流/直流转换器是否尝试在开启时切换？ PSE 连接到 PD 时、您能否获取 VDD-RTN、VC-RTN、VGATE-RTN 的波形？

    您使用的是 U2光耦的哪个版本？ 这是07吗？ 您是否尝试移除添加到栅极的下拉电阻器？

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    早上好、达尔文、

    感谢您的分析和建议。

    我刚刚阅读了文档、发现如果 TPS23756认为存在短路、芯片将进入保护模式、那么一切都会异常。 就像你说的那样

    对于我的电流板、由于从 VC/门等引脚到 RTN (270欧姆/140欧姆)的离线电阻器现在不正确(由万用表测量)、我假设更换的芯片已消失。 正在等待芯片的新顺序。 每当我获得新芯片时、我都会像您提到的那样测试波形。

    请告诉我如何安全地测试它们吗？ 我是说我应该从电路中移除哪些组件、因此如果我将 PSE 连接到 PD、TPS23756不会损坏。

    如建议的文档所示、光电耦合器(U2)是 TCMT1107。  

    您提到"您是否尝试移除了添加到栅极的下拉电阻器？"。 也许我的解释不清楚。 栅极上没有添加电阻器。 我只需使用万用表测量电路板上引脚栅极与引脚 RTN 之间的电阻器、并将结果与 EVM 进行比较。 (查看芯片是否仍然正常)。

    如果您是指其他下拉电阻器、请告诉我它是哪一个。

    此致、

    Kevin

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    尊敬的 Kevin：

    由于您所做的测试似乎是 PD 正常运行并且直流/直流转换器可能有问题、因此我将绕过 PD 控制器并专注于直流/直流调试。

    您可以在 C6上焊接导线、并使用工作台电源直接为直流/直流转换器供电。 您还可以限制电源电流、以便(希望)不会损坏器件。

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    亲爱的达尔文：

    感谢您的关注和答复。 新芯片解决了这个问题。 不知道旧芯片发生了什么 可能是热风枪的温度过高或有一些神秘感。

    我更换的芯片包括主芯片 TPS23756、初级侧的三个二极管 BAS16/BAS20 (EVM 原理图中的 D5、D6、D9、或者主板上的 D12_POE、D17_POE、D20_POE)、以及由栅极(EVM 原理图中的 Q5或电路板上的 Q4_POE)控制的 MOSFET。

    由于此电路板只是一个在我们的实验室中手工焊接的原型、因此我相信在我们的 SMT 流线质量产品中不会有这样的问题。

    再次感谢您的帮助，度过了愉快的周末:-)

    此致、

    Kevin