[参考译文] TPS40210：差异与网络设计

您好、Youhao、

请查看随附的此功能原理图图片。

谢谢你。

黄色表示安装在我的设计上且与左侧不同的器件(主要是尺寸0805、而不是0603、0402或标准化值)

下面是470欧姆负载(100mA)的曲线

图层视图

使用不同的 MOSFET (RDSon 和 Cgate 也是)时、我怀疑 SW IPK 高于 Isense 触发器值并被切断(当 MOSFET 关断足够长时、绿色曲线为24V、我们可以在新的开关关闭之前看到一些启动序列、并持续重复)

因为在初始仿真的图表中、我们可以看到 SW IPK 的最大值为3.5A。

计算此 SW IPK 的公式是什么？

在下面的曲线上、我们可以看到 Rsense 两端的电压(在低通滤波器连接到 TPS40210的 ISNS 引脚之前)以蓝色显示

粉色的电流是使用钳位电流表在我的48V 输出上流经470R 负载的电流。

对这个问题有什么想法？

3月13日的绿色曲线是48V 输出(当电压降至24V 时、您的最大值与振幅之比、M1关闭)
蓝色是感测电压(但我不记得它是在 Risns 引脚上还是在 ISNS 引脚上的低通滤波器后面)。 粉色的是输出上470阻性负载上的电流、使用钳位电流探针进行测量。

根据等式16、如果 Iout = 500mA、我发现 Rsense 为0.107欧姆、而 Iout = 1.5A、则为0.043欧姆。

这是否意味着我的 Rsense 太低、以至于它使 TPS40210跳闸？

我确定电阻器上的标记为 R020。

您好、Youhao、

不、这个问题没有解决、我不得不在几天的时间里处理另一个项目。

检测电阻正确、直接在检测电阻上进行测量

始终有一个电流流流过0.02R 电阻器、即使在48V 输出时没有负载电阻器、下图也是如此。

这是正常的吗？

在更多的 PICS 下方、除了 Vsense (粉色)外、MOSFET 的 VGS 还呈橙色(始终无负载)。

更近的视图。

更近的视图

您好！

请参阅随附的 Ciflt 和 TPS40210之间小于1cm 的图片、很难接近。

您是否认为布局是电路无法正常工作的唯一原因？ (即使在0.1A 范围内)？

与 EVM 类似的器件下方。

芯片电容仅翻转180°、但位置相似、GND (在图片上不可见)以相同的方式连接到感应电阻器。

您好！

下面是一些直接记录到 ISNS 引脚的屏幕。

附录1：无负载 ISNS 电压

附录2：无负载 ISNS 电压特写

附录3：空载 ISNS 电压再次接近

附录4：空载 ISNS 电压再次接近

附录5：无负载 ISNS 电压闭合

附件6：470R 负载 ISNS 电压(输出切断开始)

附录7：470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

附录8：470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

附录8：470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

ISNS 引脚上的电压可达到150mV，但如何限制这一点？

你(们)好、好的

为什么 EVM 的 SS 引脚上有任何附加电阻器(R3)？

我在数据表中看不到这方面的解释。

此致。

大家好、感谢工程师的帮助。

这是我们 PCB 上最后一个不起作用的函数。

此致。

大家好、我通过更改肖特基二极管做了一些改进。

上一个具有1.5V 正向压降、我更改了0.85V 正向压降。

它能否解释在反馈电压位于肖特基二极管后面时的不稳定情况？

此时、我可能会灌入接近250mA 的电流、我必须执行其他测试、并检查是否可以在保持稳定的同时灌入更多电流、而不是对过流保护进行三重测试。