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故障分析:都属于同一现象、即 CAN 芯片烧毁和内核板 DDR 烧毁。 根据我们之前在研发方面的经验、分析结果是背板上的电源芯片 TPS54360在热插拔条件下具有高于5V 的有机输出电压、从而烧毁 CAN 芯片。 核心板和其他器件(建议您的公司使用或使用热插拔电源芯片)。 首先、下图是对 TI 的建议:
由于您的设计、电源芯片的 EN 引脚没有下拉电阻。 在启动期间、当输入电压上升至3.3V (齐纳二极管额定值)时、Ven=Vin。 电源芯片 EN 的电压为1.2V、这意味着电源芯片将在输入电压大于1.2V 时启动、这与电源芯片的设计状态存在严重偏差(默认状态为输入电压大于4.3V、芯片将仅启动。 该值只允许升高)。 如果插头和插座接触不良、输入电压 Vin 会经常波动、电源芯片将不会正常启动(在低于4.3V 的条件下)、并且芯片中的逻辑控制电路状态将不会正常复位、 如果插头和插座接触不良、输入电压将经常波动。 有可能导致内置 MOS 管异常导通、电源电路的输出将明显高于5V 甚至等于 Vin 的输入电压。 EN 引脚的电流约为1.2uA、因此如果没有下拉电阻、Ven 几乎等于 Vin。