• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 9 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 356 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5141QRGEVM：由 EVM 进行操作验证

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5141-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/786370/lm5141qrgevm-operation-verification-by-evm

器件型号：LM5141QRGEVM
主题中讨论的其他器件：LM5141-Q1

您好！

我是负责 TI 产品的经销商的 FAE。
我的客户将使用 LM5141-Q1。
我的客户将购买 TI 的 EVM 并计划在设计前进行测试。
规格如下。
请告诉我 EVM 中的更改以满足以下规格。

(规格)
输入电压：16V (最小值)、24V 或48V (典型值)、60V (最大值)
输出电压：12V
输出电流：0.1A (典型值)、3A (最大值)
工作频率：2MHz
工作模式：FPWM
由于输入是电池、因此有两种输入规格：24V 和48V。 但是、该电路很常见。
此外、由于基板尺寸较小、因此不使用输入滤波器。
此外、我希望尽可能减小输出电容器。 因此、请告诉我所需的最小容量值。
此致、
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kaji、您好！

    请参阅下面的 Webench 链接。 您可以从此处自定义设计。

    webench.ti.com/.../SDP.cgi


    希望这对您有所帮助？
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢你的答复。
    在 WEBENCH、我将输入电压更改为60V。
    在这种情况下、输入电容器更改为15uF×2 OSCON。
    我是否可能希望以与 EVM 相同的方式使用2.2uF x 3？
    此外、我不会使用输入滤波器、但输入滤波器是否与下图中的红圈部件匹配？
    此致、
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    还有一件事我想问你。
    在 WEBENCH 结果中、当输入电压较高且输出电流较小时、相位裕度会减小。
    在我的规格中、由于输出电流的典型值为0.1A、因此我希望进行设置、以便当时能够保证相位裕度。
    如何通过改变 COMP 引脚上电容器和电阻器的常数来增加相位裕度？
    此致、
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kaji、您好！

    正确、输入滤波器部分如上面的红圈所示。 如果不需要、您不必使用输入滤波器？ 您可以使用3个2.2uF 的乳状物、只要确保使用长电缆、输入端就会受到良好的阻尼。 这不能通过在连接 Vin 的电路板输入侧放置一个大型电解电容器来实现。 确保其电容至少为5 x 6.6uF、其 ESR 至少为几毫欧。

    希望这对您有所帮助？
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kaji、您好！

    请调整为较高的 Ccomp 值。 假设3 x 当前值。 这将减少相位摆幅、并确保在轻负载时具有足够的 PM。

    希望这对您有所帮助？
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的建议。
    我在 WEBENCH 上创建了一个电路。
    连接您创建的电路。
    如果电路有问题、我很高兴您能给我建议。
    我认为相补角就足够了。
    交叉频率有点低、因为它是12kHz、有问题吗？

    此致、

    e2e.ti.com/.../WBDesign417.pdf

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我想提出其他问题。
    1) 1)在 VCCENCH 中、CVCC = 1uF 为输出。 建议在数据表中将2.2uF 更改为4.7uF。 哪个值适合 CVCC？
    2) 2)在 WEBENCH 中、CVDD = 1uF 为输出。 数据表上的值为100nF 或更高、但1uF 是否合适？
    3) 3)在输入电容器上、我向客户建议在 EVM 中使用2.2uF x 3。 但是、客户希望使用0.37 μ F x 1。 如何计算输入电容器的最小值？
    此致、
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kaji、您好！

    除了以上评论之外、我还查看了 Webench 设计、它对我来说看起来很好。
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kaji、您好！

    数据表中的建议范围是一种保守的方法。  VCC 上的1uF 电容器不太可能不足。  如果您希望进行测试、则可以测量 CVCC 上的纹波电压、并确保纹波不会在 VCC 上导致 UVLO 事件(非常不可能)。

    CVDD = 1uF 正常。

    最小 Cin 基于两个因素。  

    RMS 纹波电流额定值。  这种最坏的情况是 IRMSCin = Iout/2。  确保使用的电容器的额定输出电流为 Iout/2 RMS 纹波电流。  要获得更精确的计算、请参阅 DS 中的公式35。

    纹波电压。  如果 Vin min 接近 Vout、并且纹波电压变得过大、这就成为一个事实。  这通常不是第1点之后的问题。 上述情况已得到处理。

    Delta Vin 为：

    其中 RCIN = CIN 的 ESR

    希望这对您有所帮助？