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[参考译文] LM5176:降压/升压电路、12V 16A 输出:在降压模式下、Vout≈Vin+0.5V、未调节12V

Guru**** 654100 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176, CSD17303Q5, CSD17577Q5A, CSD17573Q5B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/785575/lm5176-buck-boost-circuit-12-v-16-a-output-in-buck-mode-vout-vin-0-5-v-not-12v-regulated

器件型号:LM5176
主题中讨论的其他器件: CSD17577Q5ACSD17573Q5BCSD17303Q5

我正在测试 此处的电路。 我打印了 PCB 并用手焊接了元件;我可能需要重新访问一些不良的焊点、但我正在尝试弄清从哪里开始。

现在、当我斜升电压时、输出电压跟踪如下:

问题:

  1. 什么会导致输出高于 VIN 0.5V 至1.0V、而不是反馈电阻器规定的12.0V? 我可以从何处获取根本原因?

该电路比预期更早(当 UVLO 高于1.22时)接通;规格电阻器将其设置为 ≈10V。但我在引脚上测量、在9V 电压下测量、EN/UVLO 的测量值大于1.22V、因此可按预期工作。 可能是组件问题。

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    此外,我还应该补充一点,在任何大于0.100mA 的有效负载下,输出下降到接近0.00V
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    您好、Jim、

    感谢您考虑使用 LM5176。 Webench 原理图看起来不错、但在 VISNS 引脚上缺失2K 电阻器。 请参阅数据表。 这是 Webench 建模的一个缺陷、我们正在进行纠正、尽管它不会导致您当前的问题。 仅供您参考。

    正如您提到的、您的电路中必须存在一些误差。 如果您愿意、可以订购 EVM 并进行评估。

    要调试您的电路:升压桥臂似乎没有切换、而是要从较低的 VIN 升压。

    请监控 FB 引脚电压。 它应始终与 VOUT 成正比。 否则、您可能会遇到反馈电阻器的焊接问题。

    您还需要监控 COMP 电压。 它应保持高电平、因为您的输出处于调节状态。 如果没有、请检查连接到 COMP 信号的组件。

    还要检查您的 MOSFET 焊接、尤其是 M4的栅极。 当<Vout, it must has switching pulses. 为

    仔细检查 IC 的焊接情况。

    谢谢、
    Youhao
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    谢谢你。 这似乎是焊接问题、现在工作正常。

    对于来自 VISNS 的2K 电阻器、该电阻器的用途是什么? 如果 VISNS 直接连接到 V (IN)会发生什么情况?

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    您好、Jim、

    感谢您的更新、很高兴您的电路现在可以正常工作。

    2k 电阻器用于保护。 在 LM5176的开发过程中、我们发现 VISNS 需要2k 电阻器来在所有工作条件下保护引脚。 请遵循此建议。

    此致、
    Youhao
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    谢谢 。 对于同一设计、我有两个后续问题、尽管这些问题不同:

    1. 是否可以简化 FET 选择、以便我们使用4个相同的 FET? 电源设计器工具提供3个不同的 FET、其规格类似:
      1. CSD17303Q5 - 30V 100A (M1、M3)
      2. CSD17577Q5A - 30V 60A (M2)
      3. CSD17573Q5B - 30V 100A (M4)

    2. 在电源设计器工具中、最大软启动时间为100ms。 这是硬性限制吗? 我们可以更长时间吗? 我具有高容性负载、因此我宁愿减慢启动时间以最大程度地减小浪涌电流。

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    理想情况下,我们将使用4个 CSD17573Q5B --它是否起作用? 如果不是、4x CSD17303Q5会怎么样?
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    您好,Youhao Xi (1880260),关于 VISNS 电阻器,我查看了数据表,我的理解是,只有在 V (in )>40V 时才需要这种电阻器。所以我的应用不需要这种电阻器。 我是否有误解?

    从第8.3.7节中:

    ' kΩ 输入电压高于40V 的应用、需要一个与 VISNS 引脚串联的2k Ω 电阻器、如图25所示。'

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    您好、Jim、

    正确的做法是、建议您使用>40V 的电压、但如果您的标称电压较低、则不会受到影响。 为了防止意外的高电压攻击、我建议您将其放在您的电路上。

    谢谢、
    Youhao
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    谢谢你,你好(一八八○一○)…… 我从2019年3月26日下午2:35发布的帖子怎么样?

    1. 我们能否简化 BOM 并使用4个完全相同的 NMOS FET? 如果是、您建议使用哪种?
    2. 我们可以使用 CSS 进行编程的最大软启动时间是多少? 设计工具显示为100ms、这是限制吗? 我在数据表中看不到它的具体说明。

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    您好、Jim、

    1.是的、您可以使用4个相同的 FET。 人们通常会选择不同的 MOSFET、从而在性能与成本之间实现一定程度的增量改进。 但所有 FET 都可以相同。
    2.我不认为设计工具将100ms 设置为限制。 我刚才检查了、您可以输入更大的数字。 但是、对于许多应用来说、长达100ms。 T I 通常会看到1ms 至20ms 的技术规格。

    谢谢、
    Youhao