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[参考译文] BQ27426：右侧偏移和布线电阻值

admin
Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ27426

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/784899/bq27426-right-offset-and-value-for-trace-resistance

器件型号：BQ27426
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO、

您好！

哪一项是应用于布线电阻的正确偏移？  

我已经尝试过数据表提供的两个参数(75和92)、但默认值 vaue 错误。 使用75时得到0x023F、使用92时得到0x6300。  

关于该值、我的器件中的迹线电阻为827 m Ω。 然后、我是否应该按照本文中的说明将寄存器设置为207 (https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/616622)

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    TI__Guru**** 2553260 points
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    是的、没错。 感谢您向我们指出。
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    感谢您的回答。 请告诉我应该怎么做、因为我的布线具有高电阻、并且寄存器看起来很有可能在电流变化时使 SOC 跳变平。
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    您好、再说一次、

    我刚刚使用 BQStudio 和 BQ27426EVM 检查了默认走线电阻值为0欧姆。 是否可以从 bqStudio 中告知寄存器偏移？
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    此信息位于我们的 TRM 上。 搜索布线电阻、您将找到一个具有偏移的表。
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    您是说 SLUUBB0 (2015年12月)吗？

    正如您在第一次答复中承认的那样、这里存在自相矛盾的信息。

    您能更具体吗？  

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    TI__Guru**** 2553260 points
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    http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=sluubb0&fileType=pdf

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    TI__Guru**** 2553260 points
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    好的、我们指的是同一个文件。 请查看第34页和第44页。 根据第34页、偏移将为75。 但根据第44页、它将是92。 从复位状态、我使用每个偏移量获得以下值：使用75时为0x023F、使用92时为0x6300。 布线电阻的复位状态应为0。

    请告诉我要使用的偏移量吗？ 我认为这应该是另一个问题。

    PS：我还使用 BQStudio 进行了检查、寄存器的复位值为0、但我无法分辨 bqStudio 的偏移。
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    布线电阻位于子类0x50、块2、偏移11。 每个块的长度为32字节、因此这等于总偏移2 * 32 + 11 = 75。

    bqStudio 高级通信选项卡中的读取序列为：

    I2C 地址= AA
    起始寄存器= 3E
    要写入的字节= 50 02 //子类0x50、块2

    ->单击"写入"

    起始寄存器= 4B //B =偏移11
    要读取的字节数= 2

    ->单击"Read"

    -->数据= 00 00 (因为迹线电阻为0)

    有关布线电阻的另一个注释：bq27426将所有阻抗值除以0.256 * DesignCapacity/DefaultDesignCapacity、因此您需要相应地对其进行缩放、包括布线电阻。

    因此、如果布线电阻为1000m Ω、则需要写入布线电阻的值= 1000 * 0.256 * DesignCapacity/DefaultDesignCapacity.

    DefaultDesignCapacity 位于子类0x6D、块0、偏移量0、2字节无符号整数中。 对于每个选定的化学成分、它将有所不同、因此需要在选择化学成分后读取。

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    TI__Guru**** 2553260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    好的、感谢您的详细解释。 我在代码中执行了以下操作、这是因为我忘记了块大小为32字节：

    //块 RAM 更新的设置
    if (batteryI2CWrite (0x61、0x00)！= HAL_OK)｛
    中断；
    ｝
    if (batteryI2CWrite (0x3E、0x50)！= HAL_OK)｛
    中断；
    ｝
    if (batteryI2CWrite (0x3F、0x00)！= HAL_OK)｛
    中断；
    ｝

    然后、我需要将0x02写入0x3F、以获得正确的值。 我将再次使用表中偏移高于32的其他寄存器进行检查。

    由于我将始终使用相同的电池、因此我不必读取代码中的默认设计容量。 我将使用 bqStudio 或执行测试时读取它。 看起来它不应该改变。
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    TI__Guru**** 2553260 points
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    与走线电阻相关、它是否还应提高测量仪表测量的电压值、还是仅计算剩余容量？
    当电流约为150mA 时、当电池实际为4084mV 时、监测计的读数为4184mV。

    谢谢。
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    TI__Guru**** 2553260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    电压校准将提高电压测量精度、而不是线迹电阻。 用于计算 rem cap。