请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TPS23753 大家好、
我的客户设计了 TPS23753 AEVM-004作为参考。
在初级侧 FET 的 D 和 S 之间的电压上升处插入浪涌电压。
此外、瞬时电流也在电流波形的上升沿流入。
我是否应该了解瞬时浪涌不是 FET 额定值范围内的问题？
是否有任何方法可以减少这种浪涌？
另一方面、次级侧 FET 的 D 和 S 之间的电压也具有类似的电压浪涌、
电压上升到接近所用 FET 的击穿电压、因此需要对其进行抑制。
请告诉我这些措施。
此致、
Kenji
