我正在研究一个需要2.5V 去饱和阈值、消隐时间为2us 的应用。 理想情况下、我希望使用齐纳二极管来设置阈值、否则我将需要一串非常大的串联整流器二极管。
但是、我已经对各种齐纳二极管进行了详尽的搜索、找不到任何在500uA (ISO5452的去饱和充电电流)时达到其拐点的二极管。
我在这里看到了一些建议使用齐纳二极管来调节去饱和电压的答复-您能推荐一个适合此应用中极低电流的特定系列吗？
供参考-我还考虑使用~10k 电阻器来调节去饱和阈值。 这种方法的缺点是、由于 RC 时间常数、它会显著延长去饱和消隐时间。
我最终需要一个使用此解决方案的33pF 消隐电容器、这使我非常关注抗噪性-我的开关频率高达100kHz、总线电压为1200V。
尊敬的 Grant：
感谢您关注 ISO5452-Q1。 我是高功率驱动器组的应用工程师、可以帮助回答您的问题。
我也找不到任何在0.5mA 去饱和充电电流下具有其列出的拐点的齐纳二极管。 不过、查看一些齐纳二极管数据表、它们似乎仍然在500uA 的电流下达到大部分 VZ。 如果这种变化是可以容忍的、则可以使用电阻器拨入触发电压。 还有一些详细信息、请参阅上一个 E2E 主题。
除此之外、可能还可以使用某种 BJT Baker 钳位器、尽管我个人尚未在该应用中使用过该钳位器。 我将在下周初对团队进行轮询、看看他们是否对此问题有其他意见。
谢谢、此致、
John
谢谢 Susan、John、
Susan -您的描述确认了我对 DESAT 电路的理解。 我希望避免简单地增加串联电阻值、因为这会导致检测时间发生很大变化、具体取决于仿真中的 VDS。 我可以使用9k6电阻器达到阈值要求、但我需要33pF 电容器来满足2us 计时要求。 我担心该解决方案将非常容易受到开关瞬态的影响、因为与 阻断二极管电容相比、33pF 去饱和电容器不会非常大。
我找到了一些具有极低拐点电流的齐纳二极管- Vishay MMBZ 系列：
我还想知道是否可以使用精密并联电压基准来代替齐纳二极管、从而在整个温度范围内保证稳定性？ 我的仿真表明、这种方法可以很好地发挥作用、但我不确定并联基准模型有多精确。
您是否了解在这类应用中使用并联基准的任何客户？
