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[参考译文] UCC21750-Q1:如果我想在 ucc21750后面添加额外的缓冲器、BJT 或 MOSFET 作为缓冲器的最佳选择是什么?

Guru**** 1131400 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750, UCC27321
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1170974/ucc21750-q1-if-i-want-to-add-additional-buffer-behind-ucc21750-what-will-be-the-best-between-bjt-or-mosfet-as-buffer

器件型号:UCC21750-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC21750UCC27321

尊敬的专家:

如果我的客户希望在 Ucc21750后面添加另一个缓冲器以增强驾驶能力、那么最佳结构是什么?  

MOSFET 还是 BJT? 有什么区别?   

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    您好、Zoe、

    根据您共享的原理图、电源开关看起来是 IGBT。

    您能否根据 电源开关共享所需的驱动强度和计划的偏置电压?

    请分享这些额外的意见、我将与我们的内部团队保持一致、并随时向您发布 建议。

    谢谢

    Sasi

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    您好、Zoe、

    MOSFET 的优势是具有完整的轨到轨输出电压范围。 BJT 的优势是更高的效率和输出电流。 但是、您可以使用"TrueDrive"缓冲器、如 UCC27321、它并行使用这两种类型。

    通常 UCC21750可以直接驱动栅极。 它具有有利的分离输出、如果输出被缓冲、将很难使用。 较大的分立式输出晶体管可能会传导电流更大、但由于寄生电容和布局较大、它们不一定会开关得更快。 该 IGBT 栅极电容有多大?

    此致、

    肖恩

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    Sean、您是否会帮助检查以下 SIC 参数? 您是说您不推荐使用额外的缓冲器? 客户只想在需要更大驱动强度的情况下离开此缓冲器。 您是否有任何建议的电路? 您对栅极电容器的建议是什么?  

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    您好、Zoe、

    驱动强度要求将基于 系统可接受的总导通/关断损耗以及 系统的开关频率要求。

    FET 开关速度越快、损耗越低、开关速度直接与驱动器峰值电流相关。 UCC217xx 驱动器峰值电流规格为10A,无外部栅极电阻。  

    请参阅以下 常见问题解答文档 、其中说明了如何 在 系统中计算峰值电流和导通/关断时间[它不适用于 UCC217xx 器件、但概念相同]

     我们在以下链接中提供了 UCC217xx 器件的峰值电流和功率计算表

    它不是一个直接的答案、而是基于系统上的多个参数。  

    如果您 有任何其他问题、请查看常见问题解答并告知我们。

    谢谢

    Sasi

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    您好、Zoe、

    UCC27321只有0.3Ω Ω 的下拉电阻。 但是、4.58uF 是一个巨大的电容器。  

    如果您要切换这么大的电容器、您可能需要以某种方式降低电阻。 分立式 BJT 输出级是一种可能。 并联栅极驱动器可能是另一种。  

    您是否有此 SiC 开关的器件型号? 目标开关频率是多少?  

    此致、

    肖恩

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    您好、Zoe、

    考虑到 FET 的高栅极电容[似乎高于典型栅极电容]-并且可能需要外部电流升压。

    请参阅以下应用手册 、其中介绍了不同的电流升压方法。

    我现在要关闭此机票。  我们可以重新打开 TT 或为任何其他 问题创建新 TT。

    谢谢

    Sasi