[参考译文] TPS43061：关于高侧 MOSFET

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1170808/tps43061-about-high-side-mosfet

器件型号：TPS43061

大家好、

我的客户尝试使用 TPS43061、对高侧 FET 有2个问题。

通常、升压转换器使用正常二极管进行高侧整流。但对于该器件、MOSFET 用于同步整流、从而为高电流应用实现高效率。数据表中显示 "在升压拓扑中、输入通过电感器和高侧 FET 体二极管传递到输出。" 您能否解释一下这款高侧 MOSFET 的所有功能、以及它为何有助于提高效率？
该高侧 MOSFET 是否可以替换为正常二极管？

此致、

Ohashi

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2392905 points

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Ohashi、您好！

感谢您使用 E2E 论坛。

二极管的压降为0.7V 或0.3。肖特基二极管的情况。而 MOSFET 仅在打开时具有相对于 R_DS、ON 的压降。因此、与二极管相比、MOSFET 上的损耗通常更小。但是、MOSFET 还具有体二极管、如果 MOSFET 尚未导通、该体二极管将提供直通路径(请参阅通常显示体二极管的 MOSFET 符号)。

在这种情况下、您应该使用为该模式设计的异步控制器。可检查 LM515x 器件。

此致、

Stefan

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2392905 points

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如果控制 MOSFET 执行同步整流并与低侧 FET 互补导通、是否存在 MOSFET 关闭但电流流过体二极管的情况？

如果是、该器件如何实现如此高的效率？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2392905 points

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您好、Ryoma、

请查看数据表部分：

8.4.2直通(VIN > VOUT)

此致、

Stefan

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